[发明专利]去除含有颗粒缺陷的光刻抗反射层的方法在审
| 申请号： | 201610016127.1 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN105551940A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 冯俊伟;王铁渠;胡海波;崔永鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种去除含有颗粒缺陷的光刻抗反射层的方法，包括：提供基底，所述基底包括多晶硅层、以及形成于多晶硅层上的光刻抗反射层，所述光刻抗反射层内形成有颗粒缺陷；采用第一湿法刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀；以及采用第二湿法刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀。本发明实施例通过分别采用第一湿法刻蚀工艺和第二湿法刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀，彻底地去除含有颗粒缺陷的光刻抗反射层，得到干净的多晶硅表面。其中，第二湿法刻蚀工艺通过使用氨水与双氧水的混合溶液消除颗粒缺陷与多晶硅层表面之间的粘合力；再使用氢氟酸的水溶液溶解去除所述颗粒缺陷，有效地避免了颗粒缺陷因较强的粘合力回粘到多晶硅层表面而无法彻底去除。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 含有 颗粒 缺陷 光刻 反射层 方法 | ||
【主权项】：
一种去除含有颗粒缺陷的光刻抗反射层的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括多晶硅层、以及形成于多晶硅层上的光刻抗反射层，所述光刻抗反射层内形成有颗粒缺陷；采用第一湿法刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀；采用第二湿法刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
