[发明专利]去除含有颗粒缺陷的光刻抗反射层的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种去除含有颗粒缺陷的光刻抗 反射层的方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，通常会涉及到刻蚀多晶硅的环节。在对多晶硅进 行刻蚀时，需要先在多晶硅表面形成光刻抗反射层；然后在光刻抗反射层上 形成具有一定厚度且均匀性好的光刻胶层，对光刻胶层进行曝光、显影，将 掩模版的图案转移到所述光刻胶层上，形成光刻胶图案；最后，以光刻胶图 案为掩模对多晶硅进行刻蚀。所述光刻抗反射层可以防止光线通过光刻胶层 之后在多晶硅界面处发生反射，从而保证光刻胶层能均匀曝光。

然而在沉积光刻抗反射层过程中，由于一些环境因素如腔体泄露等，容 易在光刻抗反射层中形成大量的颗粒缺陷。颗粒缺陷的存在会导致后续多晶 硅刻蚀工艺中位于颗粒下方的多晶硅不能完全被刻蚀掉，这将对半导体器件 的正常工作及良率有重大影响。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种去除含有颗粒缺陷的光刻抗反射层的 方法，提高半导体器件的良率。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种去除含有颗粒缺陷的光刻 抗反射层的方法，包括：提供基底，所述基底包括多晶硅层、以及形成于多 晶硅层上的光刻抗反射层，所述光刻抗反射层内形成有颗粒缺陷；采用第一 湿法刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀；采用第二湿法刻蚀工艺对所述基底进行 刻蚀。

可选地，形成所述光刻抗反射层的方法包括在多晶硅层上依次形成氮氧 化硅层及二氧化硅层。

可选地，形成所述氮氧化硅层及二氧化硅层的工艺包括等离子体增强化 学气相沉积；形成所述氮氧化硅层的厚度范围是250埃至350埃，形成所述 二氧化硅层的厚度范围是40埃至60埃。

可选地，所述颗粒缺陷的成份包括二氧化硅。

可选地，所述第一湿法刻蚀工艺包括：使用氢氟酸的水溶液进行刻蚀； 以及使用磷酸的水溶液进行刻蚀。

可选地，所述氢氟酸的水溶液中氢氟酸与水的体积比范围为1:50至1: 2000，氢氟酸的水溶液的温度范围为22摄氏度至24摄氏度；刻蚀时间为50 秒至80秒。

可选地，所述磷酸的水溶液的浓度范围为磷酸的体积百分数为80％至 90％，磷酸的水溶液的温度范围为155摄氏度165摄氏度；刻蚀时间为800 秒至1200秒。

可选地，所述第二湿法刻蚀工艺包括：使用氨水与双氧水的混合溶液进 行刻蚀；以及使用氢氟酸的水溶液进行刻蚀。

可选地，使用氨水与双氧水的混合溶液进行刻蚀的方法包括：采用氨水 与双氧水的混合溶液在超声波的作用下浸泡所述多晶硅层，所述超声波的频 率为900KHz至1100KHz，所述氨水与双氧水的混合溶液中氢氧化铵、过氧 化氢与水的体积比为1:2:40，温度范围为22摄氏度至24摄氏度；浸泡时间为 500秒至700秒。

可选地，所述氢氟酸的水溶液中氢氟酸与水的体积比为1:100，温度为 22摄氏度至24摄氏度；刻蚀时间为16秒至24秒。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：

本发明实施例的方法采用第一湿法刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀，以去 除光刻抗反射层；采用第二湿法刻蚀工艺进一步刻蚀，以去除光刻抗反射层 中的颗粒缺陷，从而彻底地去除含有颗粒缺陷的光刻抗反射层，得到干净的 多晶硅表面。

进一步地，本发明实施例的方法中，第二湿法刻蚀工艺通过使用氨水与 双氧水的混合溶液消除颗粒缺陷与多晶硅层表面之间的粘合力，再使用氢氟 酸的水溶液溶解去除所述颗粒缺陷，有效地避免了颗粒缺陷因较强的粘合力 回粘到多晶硅层表面而无法彻底去除。

附图说明

图1至图3是本发明一个实施例的去除含有颗粒缺陷的光刻抗反射层的 方法的中间结构的剖面示意图。

具体实施方式

本发明实施例提供一种去除含有颗粒缺陷的光刻抗反射层的方法，下面 结合附图加以详细的说明。

图1至图3是本发明一个实施例的去除含有颗粒缺陷的光刻抗反射层的 方法的中间结构的剖面示意图。