[发明专利]去除含有颗粒缺陷的光刻抗反射层的方法

权利要求书

1.一种去除含有颗粒缺陷的光刻抗反射层的方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括多晶硅层、以及形成于多晶硅层上的光刻抗反射 层，所述光刻抗反射层内形成有颗粒缺陷；

采用第一湿法刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀；

采用第二湿法刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述光刻抗反射层的方法包 括在多晶硅层上依次形成氮氧化硅层及二氧化硅层。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述氮氧化硅层及二氧化硅 层的工艺包括等离子体增强化学气相沉积；形成所述氮氧化硅层的厚度范 围是250埃至350埃，形成所述二氧化硅层的厚度范围是40埃至60埃。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述颗粒缺陷的成份包括二 氧化硅。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一湿法刻蚀工艺包括：

使用氢氟酸的水溶液进行刻蚀；以及

使用磷酸的水溶液进行刻蚀。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述氢氟酸的水溶液中氢氟酸与 水的体积比范围为1:50至1:2000，氢氟酸的水溶液的温度范围为22摄氏 度至24摄氏度；刻蚀时间为50秒至80秒。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述磷酸的水溶液的浓度范围为 磷酸的体积百分数为80％至90％，磷酸的水溶液的温度范围为155摄氏度 165摄氏度；刻蚀时间为800秒至1200秒。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二湿法刻蚀工艺包括：

使用氨水与双氧水的混合溶液进行刻蚀；以及

使用氢氟酸的水溶液进行刻蚀。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，使用氨水与双氧水的混合溶液进 行刻蚀的方法包括：采用氨水与双氧水的混合溶液在超声波的作用下浸泡 所述多晶硅层，所述超声波的频率为900KHz至1100KHz，所述氨水与双 氧水的混合溶液中氢氧化铵、过氧化氢与水的体积比为1:2:40，温度范围 为22摄氏度至24摄氏度；浸泡时间为500秒至700秒。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述氢氟酸的水溶液中氢氟酸与 水的体积比为1:100，温度为22摄氏度至24摄氏度；刻蚀时间为16秒至 24秒。