[发明专利]半导体发光元件在审
| 申请号： | 201610015618.4 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN105957940A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 胜野弘;石黑阳;山田真嗣 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体发光元件包含基体、第1～3半导体层、第1导电层及第1、2绝缘层。第1半导体层包含第1导电型区域。第2半导体层设置在第1半导体层与基体之间，且为第2导电型。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1导电层设置在第2半导体层的一部分与基体之间。第1导电层与第2半导体层电连接。第1绝缘层设置在第2半导体层的另一部分与基体之间以及第1导电层与基体之间。第2绝缘层设置在第1绝缘层与基体之间。第1绝缘层的第1厚度比第1绝缘层的第2厚度薄。第2绝缘层的第3厚度与第2绝缘层的第4厚度的差的第2绝对值小于第1厚度与第2厚度的差的第1绝对值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，其特征在于具备：基体；第1半导体层，包含第1导电型区域；第2导电型的第2半导体层，设置在所述第1半导体层与所述基体之间；第3半导体层，设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间；第1导电层，设置在所述第2半导体层的一部分与所述基体之间，且与所述第2半导体层电连接；第1绝缘层，设置在所述第2半导体层的另一部分与所述基体之间以及所述第1导电层与所述基体之间；以及第2绝缘层，设置在所述第1绝缘层与所述基体之间；且从所述第2半导体层朝向所述第1半导体层的第1方向上与所述第1导电层重叠的第1位置上的所述第1绝缘层的第1厚度，比所述第1方向上不与所述第1导电层重叠的第2位置上的所述第1绝缘层的第2厚度薄，所述第1位置上的所述第2绝缘层的第3厚度与所述第2位置上的所述第2绝缘层的第4厚度的差的第2绝对值小于所述第1厚度与所述第2厚度的差的第1绝对值。
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