[发明专利]一种去除光刻残留的方法及系统在审
| 申请号： | 201610014919.5 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106960778A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 陈定平 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;H01L21/67;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 许静,安利霞 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种去除光刻残留的方法及系统，方法包括对完成光刻处理的工艺制板，通过干法去胶工艺进行第一去胶处理；对完成第一去胶处理的工艺制板，采用稀氢氟酸溶液进行漂洗；对完成稀氢氟酸溶液漂洗的工艺制板进行第二去胶处理；对完成第二去胶处理的工艺制板进行干燥处理。本发明能够很好的去除多晶硅光刻后的聚合物和光刻胶等残留，增强了去除聚合物和光刻胶等残留的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 光刻 残留 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种去除光刻残留的方法，其特征在于，所述方法包括：对完成光刻处理的工艺制板，通过干法去胶工艺进行第一去胶处理；对完成第一去胶处理的工艺制板，采用稀氢氟酸溶液进行漂洗；对完成稀氢氟酸溶液漂洗的工艺制板进行第二去胶处理；对完成第二去胶处理的工艺制板进行干燥处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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