[发明专利]一种去除光刻残留的方法及系统

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种去除光刻残留的方法及系统。

背景技术

目前，一些产品如双扩散型金属氧化物半导体DMOS、绝缘栅双极型晶体管IGBT和肖特基等的多晶硅厚度比互补金属氧化物半导体CMOS的多晶硅厚度要厚很多，例如DMOS、IGBT和肖特基等产品的多晶硅厚度为而CMOS产品的多晶硅厚度为此外，DMOS、IGBT和肖特基等产品的多晶硅在经过干法刻蚀后的残留如聚合物、光刻胶等也很多。如图1和图2所示，为DMOS产品在多晶硅干法刻蚀后的聚合物残留。从图1和图2中可以看出，在色差交接点会出现点状聚合物残留，在图1中表现为暗处的亮色点，在图2中表现为明亮处的暗色点。

针对上述光刻残留较多的情况，现在多是对经过多晶/硅化钨淀积的多晶硅依次进行干法去胶、湿法去胶以及一号液清洗等工艺流程，其中，一号液清洗指氨水、双氧水和纯净水的比例为氨水：双氧水：纯静水＝1：2：10。但是由于DMOS、IGBT和肖特基等产品的多晶硅干刻后的聚合物等残留较多，因此通常的干法去胶、湿法去胶以及一号液清洗等工艺流程很难去除多晶硅光刻后的残留。

发明内容

为了能够很好的去除多晶硅光刻后的聚合物和光刻胶等残留，本发明提供了一种去除光刻残留的方法及系统。

为了实现上述目的，本发明提供了一种去除光刻残留的方法，所述方法包括：

对完成光刻处理的工艺制板，通过干法去胶工艺进行第一去胶处理；

对完成第一去胶处理的工艺制板，采用稀氢氟酸溶液进行漂洗；

对完成稀氢氟酸溶液漂洗的工艺制板进行第二去胶处理；

对完成第二去胶处理的工艺制板进行干燥处理。

可选的，在所述对完成第一去胶处理的工艺制板，采用稀氢氟酸溶液进行漂洗的步骤中，稀氢氟酸溶液中氢氟酸的体积百分比为1.5％～3％。

可选的，在所述对完成第一去胶处理的工艺制板，采用稀氢氟酸溶液进行漂洗的步骤中，稀氢氟酸溶液中氢氟酸的体积百分比为2％。

可选的，在所述对完成第一去胶处理的工艺制板，采用稀氢氟酸溶液进行漂洗的步骤中，采用稀氢氟酸溶液对完成第一去胶处理的工艺制板进行漂洗的时间为50s～100s。

可选的，所述对完成稀氢氟酸溶液漂洗的工艺制板进行第二去胶处理，具体包括：对完成稀氢氟酸溶液漂洗的工艺制板，通过湿法去胶工艺进行去胶处理；对完成去胶处理的工艺制板，采用清洗液进行漂洗，其中，清洗液的成分为氨水、双氧水和纯净水，且氨水、双氧水和纯净水的体积比例为1：2：10。

依据本发明的另一个方面，本发明还提供了一种用于实现去除光刻残留的方法的去除光刻残留的系统，所述系统包括：第一去胶设备、第二去胶设备、干燥设备，所述系统还包括用于对完成第一去胶处理的工艺制板，采用稀氢氟酸溶液进行漂洗的漂洗设备。

本发明的有益效果是：

本发明提供的去除光刻残留的方法，首先通过干法去胶工艺对完成光刻处理的工艺制板进行第一去胶处理，然后采用稀氢氟酸溶液对完成第一去胶处理的工艺制板进行漂洗，并对完成稀氢氟酸溶液漂洗的工艺制板进行第二去胶处理，最后对完成第二去胶处理的工艺制板进行干燥处理。本发明通过在第一去胶处理和第二去胶处理之间增加稀氢氟酸溶液漂洗，可以去除工艺制板在光刻处理前生长的氧化层，并去除氧化层上的光刻胶以及光刻产生的聚合物，增强了去除残留的效果；此外，本发明在稀氢氟酸溶液漂洗后不立即进行干燥处理，而是在完成第二去胶处理后进行干燥处理，更好的去除了光刻胶和聚合物等残留。

附图说明

图1表示DMOS产品在多晶硅干法刻蚀后的聚合物残留示意图之一；

图2表示DMOS产品在多晶硅干法刻蚀后的聚合物残留示意图之二；

图3表示本发明的实施例中去除光刻残留的方法的步骤流程图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

如图3所示，为本发明的实施例中去除光刻残留的方法的步骤流程图，该方法包括如下步骤：

步骤101，对完成光刻处理的工艺制板，通过干法去胶工艺进行第一去胶处理。