[发明专利]薄膜晶体管及其制作和测试方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201610011702.9 | 申请日： | 2016-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN105576037B | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 石磊 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/36;H01L21/66;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管及其制作和测试方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管包括半导体层、至少三个源/漏电极以栅极；所述半导体层包括非掺杂部以及与所述非掺杂部连接且连续形成的至少三个掺杂部，所述掺杂部彼此间隔设置并且分布在所述非掺杂部的周边；所述源/漏电极彼此间隔地设置，并且分别与所述掺杂部电连接；所述栅极在垂直于所述半导体层的方向上与所述非掺杂部交叠且至少延伸到所述非掺杂部与所述掺杂部的交界处。该薄膜晶体管可提高其包括的子薄膜晶体管的特性的比较结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作 测试 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括:半导体层，包括至少三个掺杂部以及与所述至少三个掺杂部均连接的且连续形成的非掺杂部，其中，所述至少三个掺杂部彼此间隔设置并且分布在所述非掺杂部的周边；至少三个源/漏电极，彼此间隔地设置，并且分别与所述至少三个掺杂部电连接；以及栅极，在垂直于所述半导体层的方向上与所述非掺杂部交叠且至少延伸到所述非掺杂部与所述掺杂部的交界处。
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