[发明专利]多沟槽半导体装置在审
| 申请号： | 201610009712.9 | 申请日： | 2016-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN106409903A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 顾昀浦;庄乔舜;黄正鑫 | 申请（专利权）人： | 达尔科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/861;H01L21/336;H01L21/329;H01L29/40;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及多沟槽半导体装置。具有经改善RDSON及BV性能的MOSFET装置或整流器装置具有安置于半导体芯片中的场板沟槽的重复图案。所述半导体芯片包括经掺杂外延层，其中掺杂剂浓度从芯片表面的顶部朝向所述芯片的底部逐渐降低。所述经掺杂外延层可包括具有不同掺杂剂浓度的外延层的阶层且所述场板沟槽各自终止于所述阶层中的预定点处。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种装置，其包括：半导体芯片，其具有场板沟槽的重复图案，所述场板沟槽具有安置于所述芯片中的一个以上深度。
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