[发明专利]多沟槽半导体装置在审
| 申请号： | 201610009712.9 | 申请日： | 2016-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN106409903A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 顾昀浦;庄乔舜;黄正鑫 | 申请（专利权）人： | 达尔科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/861;H01L21/336;H01L21/329;H01L29/40;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 半导体 装置 | ||
【说明书】：
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