[发明专利]非挥发性内存总成及其制作方法

摘要

本发明有关于一种非挥发性内存总成及其制作方法。所述非挥发性内存总成包括基底，具有源极区以及汲极区，形成于基底上的第一介电层，及形成于第一介电层上的抹除闸极、浮动闸极以及选择闸极。另外，耦合介电层，分别形成于抹除闸极、浮动闸极以及选择闸极之间以及上方，及形成于耦合介电层上的耦合闸极。

主权项

一种非挥发性内存总成的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：(1) 提供一基底；(2) 在所述基底上形成一基底介电层；(3) 在所述基底介电层上形成一第一多晶硅层，以及在所述第一多晶硅层上形成一牺牲层；(4) 在所述基底介电层、所述第一多晶硅层及所述牺牲层上定义一第一图案开口及一第二图案开口，且所述牺牲层堆栈在所述第一多晶硅层上彼此相间隔；(5) 选择性去除所述牺牲层，以及在所述牺牲层的两侧形成一第一暂时侧墙介电层；(6) 所述第一多晶硅层及所述牺牲层在所述基底介电层上形成若干上窄下宽的堆栈结构，且相邻上窄下宽的堆栈结构之间在所述基底介电层上形成一镶嵌沟槽；(7) 根据所述第一图案开口进行离子布植；(8) 增厚所述镶嵌沟槽位于所述第一图案开口下方的基底介电层；(9) 在所述镶嵌沟槽形成一第一侧墙介电层，及所述第一侧墙介电层沿所述镶嵌沟槽形成二沟槽；(10) 形成一第二多晶硅层，填入二沟槽；(11) 去除在二沟槽内于所述第二图案开口的第二多晶硅层及第一侧墙介电层；(12) 在所述基底上定义一第三图案开口，去除位于所述第三图案开口上的第一多晶硅层及所述基底介电层以形成一第一凹槽；(13) 在所述第一凹槽内，形成一晶体管介电层及一第二侧墙介电层，且所述晶体管介电层及所述第二侧墙介电层形成一第二凹槽；(14) 形成一第三多晶硅层，填入所述第二凹槽；(15) 在所述第二多晶硅层及所述第三多晶硅层上形成一覆盖介电层；(16)在所述第一多晶硅层、所述覆盖介电层、所述第一侧墙介电层及所述第二侧墙介电层上形成一耦合介电层；(17)在耦合介电层选择性形成一第四多晶硅层；以及(18)定义一第四图案开口以进行离子布植。