[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610002739.5 | 申请日： | 2016-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN105633236B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 王绘凝;许圣贤;彭康伟;林素慧;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，从下至上依次包括：衬底；发光外延层，由半导体材料层堆叠而成，形成于衬底之上；掺有导电性的金属纳米基团的电流扩展层，形成于所述发光外延层之上；对可见光具有高透过率的金属纳米基团，形成于所述电流扩展层之上。掺有导电性的金属纳米基团，分散于所述电流扩展层的内部，减小电流扩展层的横向电阻，以提高电流横向扩展的均匀性；对可见光具有高透过率的金属纳米基团，分布于所述电流扩展层上表面，起到粗化的效果，以增加光的提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.发光二极管，从下至上依次包括：衬底；发光外延层，由半导体材料层堆叠而成，形成于所述衬底之上；掺有导电性的金属氧化物纳米基团的电流扩展层，形成于所述发光外延层之上；对可见光具有高透过率的金属氧化物纳米基团，形成于所述电流扩展层之上；所述导电性的金属氧化物纳米基团为Ag氧化物或Zn氧化物或Sn氧化物或Ti氧化物或前述任意组合之一；所述对可见光具有高透过率的金属氧化物纳米基团为Al氧化物或Mg氧化物或Ga氧化物或前述任意组合之一。
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