[其他]用于装载及卸载基板的负载锁定腔室和直列基板处理系统有效
申请号: | 201590001521.7 | 申请日: | 2015-05-22 |
公开(公告)号: | CN208240622U | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 弗兰克·施纳朋伯杰 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 根据本实用新型用于装载及卸载基板的负载锁定腔室和直列基板处理系统,提供了一种用于处理基本上竖直取向的基板(131)的直列基板处理系统(100)。所述直列基板处理系统包括:第一处理腔室(110),所述第一处理腔室具有第一处理区域(116)并且适于在所述基板上沉积第一材料层;第二处理腔室(120),所述第二处理腔室具有第二处理区域(126)并且适于在所述基板上沉积第二材料层;以及负载锁定腔室(130),所述负载锁定腔室适于从所述直列基板处理系统装载和卸载所述基板。所述负载锁定腔室布置在所述第一处理腔室与所述第二处理腔室之间。 | ||
搜索关键词: | 处理腔室 负载锁定腔室 基板处理系统 基板 直列 卸载 装载 处理区域 沉积 本实用新型 第二材料层 第一材料 竖直取向 | ||
【主权项】:
1.一种用于处理基本上竖直取向的基板(131)的直列基板处理系统(100),其特征在于第一处理腔室(110),所述第一处理腔室具有第一处理区域(116)并且适于在所述基板上沉积第一材料层;第二处理腔室(120),所述第二处理腔室具有第二处理区域(126)并且适于在所述基板上沉积第二材料层;及负载锁定腔室(130),所述负载锁定腔室适于从所述直列基板处理系统装载和卸载所述基板,其中所述负载锁定腔室在所述第一处理腔室与所述第二处理腔室之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造