[其他]用于装载及卸载基板的负载锁定腔室和直列基板处理系统

说明书

根据本实用新型用于装载及卸载基板的负载锁定腔室和直列基板处理系统，提供了一种用于处理基本上竖直取向的基板(131)的直列基板处理系统(100)。所述直列基板处理系统包括：第一处理腔室(110)，所述第一处理腔室具有第一处理区域(116)并且适于在所述基板上沉积第一材料层；第二处理腔室(120)，所述第二处理腔室具有第二处理区域(126)并且适于在所述基板上沉积第二材料层；以及负载锁定腔室(130)，所述负载锁定腔室适于从所述直列基板处理系统装载和卸载所述基板。所述负载锁定腔室布置在所述第一处理腔室与所述第二处理腔室之间。

技术领域

本实用新型涉及锁定腔室、处理系统和操作处理系统的方法。特别地，本实用新型涉及：用于将基板装载到直列基板处理系统中或从直列基板处理系统中卸载基板的锁定腔室；至少包括第一处理腔室和第二处理腔室以处理基板的直列基板处理系统；和用于将基板装载到直列基板处理系统中或从直列基板处理系统中卸载基板的锁定腔室。

背景技术

在多种技术应用中，相同材料或不同材料的多个层以一系列的沉积工艺沉积在基板上。例如，在薄膜晶体管(Thin Film Transistor；TFT)金属化工艺中，通过溅射工艺沉积两种或三种金属。诸如蚀刻或结构化的工艺可以在各种沉积工艺之前、之间或之后提供。例如，可以沉积具有“材料一”、“材料二”接着又是“材料一”的顺序的多层堆叠结构(stack)。此类工艺也可用于制造例如诸如薄膜电池(TFB)的电化学装置。由于在不同工艺中的不同涂覆速率、沉积层厚度，和蚀刻速率或结构化速率，处理腔室中的处理时间可能显著变化。

为了沉积多层堆叠结构，可以提供多个处理腔室结构。例如，可以使用直列沉积腔室布置，以及群集沉积腔室布置。群集布置可以包括中心搬运腔室和连接到所述腔室的一些处理腔室或沉积腔室。

直列处理系统可以包括一些后续处理腔室，在这些后续处理腔室中，工艺在一个接一个的腔室中进行，使得多个基板可被连续地或准连续地处理。然而，当这种直列处理系统正在维护时，例如，为了更换溅射靶，通常必须停止整个生产线。这可能会造成不期望长的停机时间和工艺整体效率的损失。另一方面，群集工具可允许不同的循环时间。然而，搬运腔室可能占据相当大的空间并且可能非常复杂。例如，通常，在搬运腔室中可能设有复杂且昂贵的传送系统。

因此，一直需要一种改进的处理系统和操作所述处理系统的方法，在改进的处理系统和操作所述处理系统的方法中基板生产被最大化而处理系统的复杂程度、成本和占地面积被最小化。

实用新型内容

鉴于上文，根据一个方面，提供了一种用于处理基本上竖直取向的基板的直列基板处理系统。所述直列基板处理系统包括：第一处理腔室，所述第一处理腔室具有第一处理区域并且适于在所述基板上沉积第一材料层；第二处理腔室，所述第二处理腔室具有第二处理区域并且适于在所述基板上沉积第二材料层；和负载锁定腔室，所述负载锁定腔室适于从所述直列基板处理系统装载和卸载所述基板，其中所述负载锁定腔室在所述第一处理腔室与所述第二处理腔室之间。

另外，提供了一种负载锁定腔室，所述负载锁定腔室用于将基板装载到直列基板处理系统中和从所述直列基板处理系统上卸载所述基板。所述负载锁定腔室适于布置在所述直列基板处理系统的第一处理腔室与第二处理腔室之间，使得所述基板可沿着第一直线运输路径移动到所述第一处理腔室中及沿着第二直线运输路径移动到所述第二处理腔室中。

此外，提供了一种操作直列基板处理系统的方法，所述直列基板处理系统包括第一处理腔室、第二处理腔室和负载锁定腔室，其中所述负载锁定腔室在所述第一处理腔室与所述第二处理腔室之间。所述方法包括：将第一基板从所述负载锁定腔室运输到所述第一处理腔室中并且在所述第一基板上沉积材料层；经由所述负载锁定腔室将所述第一基板运输到所述第二处理腔室中并且在所述第一基板上沉积另一材料层，或者将所述第一基板运输到所述负载锁定腔室并且将第二基板运输到所述第二处理腔室中，并且在所述第二基板上沉积材料层。