[发明专利]用于高质量界面的替换沟道蚀刻

摘要

公开了用于定制基于鳍状物的晶体管器件以提供各种范围的沟道构造和/或材料系统并且在同一集成电路管芯内的技术。经由被配置成提供无小面且不具有离子损伤或具有低离子损伤的沟槽底部的湿法和/或干法蚀刻化学方式来去除牺牲鳍状物。然后利用期望的半导体材料填充沟槽。具有低离子损伤和无小面形貌的沟槽底部促进了衬底和替换材料之间的无缺陷或低缺陷的界面。在实施例中，使第一组牺牲硅鳍状物中的每一个凹陷并将其替换为p型材料，以及使第二组牺牲鳍状物中的每一个凹陷并将其替换为n型材料。另一个实施例可以包括原生鳍状物(例如，Si)和替换鳍状物(例如，SiGe)的组合。另一个实施例可以包括全部是相同构造的替换鳍状物。

主权项

一种用于形成基于鳍状物的晶体管结构的方法，所述方法包括：在硅衬底上形成多个硅鳍状物，每个鳍状物从所述衬底延伸；在每个鳍状物的相对侧上形成浅沟槽隔离；使用具有小于3kW的离子能量的低功率等离子体蚀刻、以及具有小于5％的氨浓度的低浓度氢氧化铵蚀刻的至少其中之一来使所述鳍状物中的至少一些鳍状物凹陷以提供第一组沟槽；以及在所述第一组沟槽中的每个沟槽中形成第一类型的替代鳍状物，每个所述第一类型的替代鳍状物包括所述晶体管结构的沟道。