[发明专利]反熔丝编程电压的受控修改有效
| 申请号： | 201580080336.6 | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN107667426B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | X·童;W·M·哈菲兹;Z·马;P·白;C-H·简;陈占平 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/112;G11C17/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了反熔丝编程电压的受控修改。在一个示例中，反熔丝电路形成在衬底上，包括反熔丝电路的栅极区。将分子注入到栅极区中以损坏栅极区的结构。电极形成在栅极区之上以将反熔丝电路连接到其它部件。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 编程 电压 受控 修改 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在衬底上形成反熔丝电路，在衬底上形成反熔丝电路包括形成所述反熔丝电路的栅极区；将分子注入到所述栅极区中以损坏所述栅极区的结构；在所述栅极区之上形成电极以将所述反熔丝电路连接到其它部件。
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