[发明专利]反熔丝编程电压的受控修改

权利要求书

1.一种形成反熔丝电路的方法，包括：

在衬底上形成所述反熔丝电路，在衬底上形成反熔丝电路包括形成所述反熔丝电路的栅极区；在所述栅极区之上形成栅极电介质，所述栅极电介质是高K金属氧化物栅极电介质；

将分子注入到所述栅极区中以损坏所述栅极区的结构，其中，注入包括注入到所述栅极电介质中以损坏位于所述栅极区中的所述栅极电介质和所述栅极电介质之下的沟道；

在所述栅极区之上形成电极以将所述反熔丝电路连接到其它部件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，损坏的所述栅极电介质包括用于所述反熔丝电路的反熔丝元件。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述栅极区之上沉积第二栅极电介质和多晶硅栅极材料；

对源极区和漏极区进行掺杂；以及

在掺杂之后和在注入之前去除所述第二栅极电介质和多晶硅栅极材料。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括在去除所述第二栅极电介质之后和在注入之前在所述栅极区之上沉积所述高K金属氧化物栅极电介质。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述栅极区之上形成所述高K金属氧化物栅极电介质；以及

在注入之前在所述栅极区之上形成栅极材料，

并且

其中，注入进一步损坏所述栅极电介质的结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，注入包括将SiF₄分子注入到所述栅极区中。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，注入包括等离子沉浸离子注入。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在注入之前在所述栅极区之上形成所述高K金属氧化物栅极电介质；以及

继而在注入之后在所述金属氧化物之上形成栅极金属层。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

在所述栅极区之上形成多晶硅层；

在所述栅极区旁边注入源极区和漏极区；以及

在注入之前在所述栅极区之上去除所述多晶硅层。

10.一种反熔丝电路，包括：

位于阱之上的源极和漏极；

位于所述源极与所述漏极之间的沟道，所述沟道包括注入的杂质分子；以及

位于所述沟道之上的栅极，其中，所述栅极由金属和高K金属氧化物栅极电介质形成，所述高K金属氧化物栅极电介质和所述沟道被所述杂质分子损坏，使得所述栅极具有由于所述杂质分子而引起的减小的击穿电压。

11.根据权利要求10所述的电路，其中，所述分子是SiF₄。

12.根据权利要求10所述的电路，进一步包括位于损坏的所述高K金属氧化物栅极电介质与所述金属之间的逸出功金属，所述逸出功金属不被所述杂质分子损坏。

13.一种计算系统，包括：

处理器；

耦合到所述处理器的大容量存储器；以及

耦合到所述处理器的具有多个反熔丝晶体管的可编程只读存储器，每个反熔丝晶体管包括：

位于阱之上的源极和漏极；

位于所述源极与所述漏极之间的沟道，所述沟道包括注入的杂质分子；以及

位于所述沟道之上的用于形成栅极的高K金属氧化物栅极电介质，所述高K金属氧化物栅极电介质和所述沟道被所述杂质分子损坏，使得所述栅极具有由于所述杂质分子而引起的减小的击穿电压。

14.根据权利要求13所述的计算系统，其中，所述可编程只读存储器包括高电压熔丝信号驱动器以对每个相应的反熔丝晶体管编程。

15.根据权利要求13或14所述的计算系统，进一步包括位于所述沟道和所述高K金属氧化物栅极电介质之上的栅极金属。