[发明专利]异质外延N型晶体管与P型晶体管的基于阱的集成

摘要

非硅鳍状物结构从衬底的阱凹陷中的晶体异质外延阱材料延伸。III‑V鳍式FET可以形成于阱凹陷内的鳍状物结构上，而IV族鳍式FET形成于衬底的与阱凹陷相邻的区域中。阱材料可以被围绕穿过隔离材料的柱的非晶隔离材料与衬底电隔离，柱将阱材料耦合到衬底的晶种表面并捕获晶体生长缺陷。可以通过横向外延过生长在阱隔离材料之上扩展柱，并利用高质量的单晶填充阱凹陷。可以使阱材料与相邻衬底区域平面化。可以从阱材料制造n型鳍状物结构，接着从衬底或第二外延阱制造p型鳍状物结构。

主权项

一种单片式半导体鳍状物结构，包括：衬底的第一区域中的第一阱凹陷，所述第一阱凹陷包含设置在阱底部之上的非晶阱隔离材料、以及设置在所述阱隔离材料之上的单晶异质外延阱材料，其中，所述阱材料通过延伸穿过所述阱隔离材料的由异质外延材料构成的一个或多个柱而在所述阱底部处耦合到所述衬底的晶种表面；设置在所述第一阱凹陷之上和衬底的与所述第一区域相邻的第二区域之上的非晶鳍状物隔离材料；从所述阱材料延伸并穿过所述鳍状物隔离材料突出出来的第一晶体鳍状物；以及从衬底的所述第二区域延伸并穿过所述鳍状物隔离材料而突出出来的由IV族材料构成的第二鳍状物。