[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201580077422.1 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN107431044B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 薮内诚;石井雄一郎 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/8234;H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;董典红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据实施例的半导体器件(1)包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的第一阱(15)；在所述半导体衬底上形成的第二阱(15)；在所述第一阱中形成的第一鳍(11)；在所述第二阱中形成的第二鳍(21)；和连接到所述第一鳍和所述第二鳍中的每一个鳍的第一电极(12a)。所述第一阱和所述第一鳍(11)具有相同的导电类型，并且所述第二阱和所述第二鳍(21)具有不同的导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一阱，形成在所述半导体衬底上；第二阱，形成在所述半导体衬底上；第一鳍，形成在所述第一阱上；第二鳍，形成在所述第二阱上；和第一电极，连接到所述第一鳍和所述第二鳍中的每一个鳍，其中所述第一阱和所述第一鳍具有相同的导电类型，并且所述第二阱和所述第二鳍具有不同的导电类型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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