[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201580077422.1 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN107431044B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 薮内诚;石井雄一郎 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/8234;H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;董典红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
半导体衬底；
第一阱，形成在所述半导体衬底中；
第二阱，形成在所述半导体衬底中；
第一鳍，形成在所述第一阱上；
第二鳍，形成在所述第二阱上；和
第一电极，连接到所述第一鳍和所述第二鳍中的每一个鳍，
其中所述第一阱和所述第一鳍具有相同的导电类型，并且所述第二阱和所述第二鳍具有不同的导电类型。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一阱和所述第二阱具有相同的导电类型。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一阱和所述第二阱具有不同的导电类型。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
第三鳍，形成在所述第二阱上；和
第二电极，连接到所述第二鳍和所述第三鳍中的每一个鳍。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第二电极还连接到所述第一鳍。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括第三电极，所述第三电极连接到所述第二鳍和所述第三鳍中的每一个鳍，并且在平面图中形成在所述第一电极和所述第二电极之间。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第三电极还连接到所述第一鳍。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
第三鳍，形成在所述第一阱上；和
第二电极，连接到所述第一鳍和所述第三鳍中的每一个鳍。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二电极还连接到所述第二鳍。
10.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括第三电极，所述第三电极连接到所述第一鳍和所述第三鳍中的每一个鳍，并且在平面图中形成在所述第一电极和所述第二电极之间。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第三电极还连接到所述第二鳍。
12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第三电极连接到第一电位。
13.一种半导体器件，包括：
半导体衬底；
第一阱，形成在所述半导体衬底中；
第二阱，形成在所述半导体衬底中；
第一鳍型晶体管，形成在所述第一阱中；和
鳍，形成在所述第二阱中，其中
所述第一鳍型晶体管的电极连接到形成在所述第二阱中的所述鳍，
所述第一阱和所述第一鳍型晶体管具有不同的导电类型，并且
所述第二阱和所述鳍具有相同的导电类型。
14.一种半导体器件，包括：
半导体衬底；
第一阱，形成在所述半导体衬底中；
第二阱，形成在所述半导体衬底中；
第一鳍，形成在所述第一阱中；
第二鳍，形成在所述第二阱中；和
第一电极，连接到所述第一鳍和所述第二鳍中的每一个鳍，其中
所述第一阱和所述第一鳍具有相同的导电类型，
所述第二阱和所述第二鳍具有相同的导电类型，并且
所述第一阱和所述第二阱具有不同的导电类型。
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