[发明专利]半导体器件

说明书

根据实施例的半导体器件(1)包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的第一阱(15)；在所述半导体衬底上形成的第二阱(15)；在所述第一阱中形成的第一鳍(11)；在所述第二阱中形成的第二鳍(21)；和连接到所述第一鳍和所述第二鳍中的每一个鳍的第一电极(12a)。所述第一阱和所述第一鳍(11)具有相同的导电类型，并且所述第二阱和所述第二鳍(21)具有不同的导电类型。

技术领域

本公开涉及半导体器件。例如，本公开涉及具有鳍型FET结构的半导体器件。

背景技术

平面FET结构是典型的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)结构之一。在平面FET结构中，源极区域、漏极区域和沟道区域平面地设置在衬底上。PTL 1公开了具有平面FET结构的半导体器件。在PTL 1中公开的半导体器件中，在半导体衬底上的n型阱区域和p型阱区域中分别形成多个p沟道型场效应晶体管(PMOS)和多个n沟道型场效应晶体管(NMOS)。

PMOS和NMOS各自包括在半导体衬底上形成的栅极电极，在半导体衬底和栅极电极之间插入有栅极绝缘膜。在平面FET结构中，通过半导体衬底上的栅极电极从上方控制沟道。这些MOSFET与栅极电极上方的第一层中的导线连接，使得构成期望的电路。

此外，在半导体衬底上，形成被称为“抽头(tap)”的用于供电的扩散层，使得沿一个方向延伸。抽头包括用于向其中形成PMOS的n型阱区域提供电源电位VDD的n阱抽头和用于向其中形成NMOS的p型阱区域提供电源电位VSS的P阱抽头。n阱抽头经由第一层中的导线连接到一个PMOS源极区域，而P阱抽头经由第一层中的导线连接到一个NMOS源极区域。

引用列表

专利文献

日本未审专利申请公开No.2010-141187

发明内容

技术问题

在上述的平面FET结构中，栅极电极不延伸到其中形成抽头的区域。因此，当半导体元件被连接成跨越抽头时，需要使用在栅极电极上方的层中的导线。然而，当栅极电极上方的层中的导线被用于连接半导体元件时，存在如下问题：可用导线迹线的数量减少，这导致导线的拥塞和半导体器件的面积的增加。

本公开内容的新颖特征和要解决的其它问题从下面的描述和附图中变得明显。

问题的解决方案

根据一个实施例，一种半导体器件包括：第一鳍，形成在衬底上的第一阱上且具有与第一阱相同的导电类型；第二鳍，形成在第二阱上且具有不同于第二阱的导电类型；以及第一电极，连接到第一鳍和第二鳍中的每一个鳍。

发明的有益效果

根据一个实施例，可以提供一种半导体器件，其包括能够减轻导线拥塞并避免半导体器件的面积增加的鳍。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的半导体器件的配置的平面图；

图2是示出根据第一实施例的半导体器件的电路图；

图3是示出图1所示的鳍、电极和布线层之间的关系的透视图；

图4是沿图1的IV-IV线所取的截面图；

图5是沿图1的V-V线所取的截面图；

图6是示出根据第二实施例的半导体器件的配置的平面图；

图7是示出根据第二实施例的半导体器件的电路图；

图8是沿图6的VIII-VIII线所取的截面图；

图9是示出根据第三实施例的半导体器件的配置的平面图；