[发明专利]在浅沟槽隔离晶片的抛光中展现出减小的凹陷的化学机械抛光组合物有效
| 申请号： | 201580065693.5 | 申请日： | 2015-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107001860B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | S.帕利卡拉库蒂亚托尔;K.多克里;P.潘戴伊;贾仁合 | 申请（专利权）人： | 嘉柏微电子材料股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/311;C23F1/16;C03C15/00;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邢岳 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供化学‑机械抛光组合物，其含有研磨剂、式(I)的离子型聚合物、多羟基芳族化合物、聚乙烯醇和水，在所述式(I)中，X1及X2、Z1及Z2、R1、R2、R3及R4、以及n如本文中所定义，其中，该抛光组合物具有约1至约4.5的pH。本发明进一步提供利用本发明的化学‑机械抛光组合物来化学‑机械抛光基板的方法。典型地，该基板含有硅氧化物、硅氮化物和/或多晶硅。 |
||
| 搜索关键词： | 式( I ) 机械抛光 基板 化学机械抛光组合物 多羟基芳族化合物 聚乙烯 离子型聚合物 抛光组合物 浅沟槽隔离 硅氮化物 硅氧化物 多晶硅 研磨剂 抛光 凹陷 减小 晶片 | ||
【主权项】：
1.化学‑机械抛光组合物，其包含：(a)湿法铈土研磨剂，(b)式(I)的离子型聚合物：![]()
其中，X1及X2独立地选自氢、‑OH及‑COOH，且其中，X1及X2中的至少一者为‑COOH，Z1及Z2独立地为O或S，R1、R2、R3及R4独立地选自氢、C1‑C6烷基及C7‑C10芳基，及n为3至500的整数，(c)多羟基芳族化合物，(d)聚乙烯醇，及(e)水，其中，该抛光组合物具有1至4.5的pH。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉柏微电子材料股份公司，未经嘉柏微电子材料股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580065693.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于开启装置的盖
- 下一篇：粘着剂组合物及粘着带
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
