[发明专利]高压半导体设备在审
| 申请号： | 201580062362.6 | 申请日： | 2015-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN107210318A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | P·阔德;N·洛菲提斯;T·特拉伊科维奇;F·乌德雷亚 | 申请（专利权）人： | 砧半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/40;H01L29/861;H01L29/872;H01L29/08;H01L29/16;H01L29/20;H01L29/267;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人： | 金旭鹏,肖冰滨 |
| 地址： | 英国沃*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了高电压半导体设备,其包括第二导电类型的半导体基底；第二导电类型的半导体漂移区域被设置在半导体基底上，半导体基底区域具有比漂移区域更高的掺杂浓度；与第二导电类型相反的第一导电类型的半导体区域，被形成在设备的表面上并且在半导体漂移区域内，半导体区域具有比漂移区域更高的掺杂浓度；并且，第一导电类型的横向延伸部从半导体区域横向延伸到漂移区域中，该横向延伸部与设备的表面间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体设备 | ||
【主权项】：
一种高压半导体设备，包括：第二导电类型的半导体基底；所述第二导电类型的半导体漂移区域，所述半导体漂移区域被设置在所述半导体基底上，所述半导体基底区域具有比所述漂移区域更高的掺杂浓度；第一导电类型的半导体区域，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反,所述半导体区域形成在所述设备的表面上并且在所述半导体漂移区域内，所述半导体区域具有比所述漂移区域更高的掺杂浓度；以及所述第一导电类型的横向延伸部，所述横向延伸部从所述半导体区域横向延伸到所述漂移区域中，所述横向延伸部与所述设备的表面间隔开。
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