[发明专利]介电组合物、介电元件、电子组件和层压电子组件有效
| 申请号： | 201580048585.7 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106605282B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | M.广濑;T.井川;G.田内 | 申请（专利权）人： | 埃普科斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 林毅斌;周李军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种介电组合物，在施加至少8V/µm DC偏压时，所述介电组合物具有800或更大的相对高的介电常数，且具有4%或更小的相对低的介电损耗，本发明的目的也在于提供利用所述介电组合物的介电元件、电子组件和层压电子组件。介电组合物具有由(BiaNabSrcBad)(αxTi1‑x)O3表示的主组分，其特征在于α为选自Zr和Sn至少之一；并且a、b、c、d和x满足以下关系：0.140≤a≤0.390，0.140≤b≤0.390，0.200≤c≤0.700，0.020≤d≤0.240，0.020≤x≤0.240，和0.950≤a+b+c+d≤1.050。 | ||
| 搜索关键词： | 组合 元件 电子 组件 层压 | ||
【主权项】：
1. 一种介电组合物，所述介电组合物具有由(BiaNabSrcBad) (αxTi1‑x)O3表示的主组分，其特征在于α为选自Zr和Sn至少之一；并且a、b、c、d和x满足以下关系：0.140≤a≤0.390，0.140≤b≤0.390，0.200≤c≤0.700，0.020≤d≤0.240，0.020≤x≤0.240，和0.950≤a+b+c+d≤1.050。
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