[发明专利]介电组合物、介电元件、电子组件和层压电子组件有效
申请号: | 201580048585.7 | 申请日: | 2015-09-08 |
公开(公告)号: | CN106605282B | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | M.广濑;T.井川;G.田内 | 申请(专利权)人: | 埃普科斯股份有限公司 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 林毅斌;周李军 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组合 元件 电子 组件 层压 | ||
1. 一种介电组合物,所述介电组合物具有由(BiaNabSrcBad) (αxTi1-x)O3表示的主组分,
其特征在于α为选自Zr和Sn至少之一;并且
a、b、c、d和x满足以下关系:0.140≤a≤0.390,0.140≤b≤0.390,0.200≤c≤0.700,0.020≤d≤0.240,0.020≤x≤0.240,和0.950≤a+b+c+d≤1.050。
2.权利要求1的介电组合物,其中a、b、c、d和x满足以下关系:0.200≤a≤0.390,0.200≤b≤0.390,0.300≤c≤0.700,0.020≤d≤0.200,0.020≤x≤0.200,和0.950≤a+b+c+d≤1.050。
3.一种介电元件,所述介电元件包括权利要求1或2的介电组合物。
4.一种电子组件,所述电子组件提供有包含权利要求1或2的介电组合物的介电层。
5.一种层压电子组件,所述层压电子组件具有通过交替层压内电极层和包含权利要求1或2的介电组合物的介电层形成的层压部分。
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