[发明专利]介电组合物、介电元件、电子组件和层压电子组件有效

专利信息
申请号: 201580048585.7 申请日: 2015-09-08
公开(公告)号: CN106605282B 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: M.广濑;T.井川;G.田内 申请(专利权)人: 埃普科斯股份有限公司
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01G4/30
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 林毅斌;周李军
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 组合 元件 电子 组件 层压
【权利要求书】:

1. 一种介电组合物,所述介电组合物具有由(BiaNabSrcBad) (αxTi1-x)O3表示的主组分,

其特征在于α为选自Zr和Sn至少之一;并且

a、b、c、d和x满足以下关系:0.140≤a≤0.390,0.140≤b≤0.390,0.200≤c≤0.700,0.020≤d≤0.240,0.020≤x≤0.240,和0.950≤a+b+c+d≤1.050。

2.权利要求1的介电组合物,其中a、b、c、d和x满足以下关系:0.200≤a≤0.390,0.200≤b≤0.390,0.300≤c≤0.700,0.020≤d≤0.200,0.020≤x≤0.200,和0.950≤a+b+c+d≤1.050。

3.一种介电元件,所述介电元件包括权利要求1或2的介电组合物。

4.一种电子组件,所述电子组件提供有包含权利要求1或2的介电组合物的介电层。

5.一种层压电子组件,所述层压电子组件具有通过交替层压内电极层和包含权利要求1或2的介电组合物的介电层形成的层压部分。

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