[发明专利]用于外延腔室的衬垫有效
申请号: | 201580045428.0 | 申请日: | 2015-08-14 |
公开(公告)号: | CN106605288B | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 刘树坤;穆罕默德·图格鲁利·萨米尔;亚伦·米勒 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/324;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文公开的实施方式描述一种衬垫组件,该衬垫组件包括多个单独分开的气体通路。该衬垫组件提供跨正受处理的基板上的流动参数的控制,这些参数诸如流速、密度、方向与空间位置。利用根据本实施方式的衬垫组件,跨正受处理的基板的工艺气体可特定地经调整以用于单个的工艺。 | ||
搜索关键词: | 用于 外延 衬垫 | ||
【主权项】:
1.一种衬垫组件,包括:上衬垫,所述上衬垫包括:圆筒状上主体,所述圆筒状上主体具有:外表面与内表面,所述内表面形成处理空间的壁;多个上入口,所述多个上入口形成为与所述圆筒状上主体相连;上排气通口,所述上排气通口定位在所述多个上入口对面;上交叉流通口,所述上交叉流通口定位成与所述上排气通口不平行;和下衬垫,所述下衬垫包括:圆筒状下主体,所述圆筒状下主体具有:多个下入口,所述多个下入口形成为与所述圆筒状下主体相连,所述多个下入口与所述多个上入口一同界定多个气体通路;下排气通口,所述下排气通口流体连接所述上排气通口;下交叉流通口,所述下交叉流通口流体连接所述上交叉流通口;以及热感测通口,所述热感测通口与所述下交叉流通口分隔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580045428.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于EPI腔室的注射插件
- 下一篇:使用闪光灯的退火方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造