[发明专利]用于外延腔室的衬垫有效
申请号: | 201580045428.0 | 申请日: | 2015-08-14 |
公开(公告)号: | CN106605288B | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 刘树坤;穆罕默德·图格鲁利·萨米尔;亚伦·米勒 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/324;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 外延 衬垫 | ||
1.一种衬垫组件,包括:
上衬垫,所述上衬垫包括:
圆筒状上主体,所述圆筒状上主体具有:
外表面与内表面,所述内表面形成处理空间的壁;
多个上入口,所述多个上入口形成为与所述圆筒状上主体相连;
上排气通口,所述上排气通口定位在所述多个上入口对面;
上交叉流通口,所述上交叉流通口定位成与所述上排气通口不平行;和
下衬垫,所述下衬垫包括:
圆筒状下主体,所述圆筒状下主体具有:
多个下入口,所述多个下入口形成为与所述圆筒状下主体相连,
所述多个下入口与所述多个上入口一同界定多个气体通路;
下排气通口,所述下排气通口流体连接所述上排气通口;
下交叉流通口,所述下交叉流通口流体连接所述上交叉流通口;
以及
热感测通口,所述热感测通口与所述下交叉流通口分隔。
2.如权利要求1所述的衬垫组件,其中所述热感测通口、所述下交叉流通口、所述下排气通口、与所述多个气体通路在所述内表面处位于共用平面。
3.如权利要求2所述的衬垫组件,其中所述下交叉流通口具有一定向,用以引导所述共用平面外的气流。
4.如权利要求1所述的衬垫组件,其中所述多个上入口具有入口与出口,所述入口穿过所述外表面而形成,且所述出口穿过所述内表面而形成,其中所述入口与所述出口彼此不共平面。
5.如权利要求4所述的衬垫组件,其中所述入口至少一个流体连接至超过一个所述出口,或者其中所述出口至少一个流体连接至超过一个所述入口。
6.如权利要求1所述的衬垫组件,其中所述下交叉流通口定位在0度位置处,且所述多个下入口的中点定位在90度位置处,所述位置是从所述下交叉流通口的对分线量起。
7.如权利要求6所述的衬垫组件,其中所述热感测通口定位在5度位置处,所述位置是从所述对分线量起。
8.如权利要求1所述的衬垫组件,其中所述多个下入口产生多个流动区域,所述流动区域彼此平行,且垂直于来自所述下交叉流通口的对分线。
9.一种衬垫组件,包括:
上衬垫,所述上衬垫包括:
圆筒状上主体,所述圆筒状上主体具有:
上突出部;
多个上入口,所述多个上入口形成为与所述圆筒状上主体相连;
上排气通口,所述上排气通口定位成平行于所述多个上入口;和上交叉流通口,所述上交叉流通口定位成垂直于所述上排气通口;
以及
下衬垫,所述下衬垫包括:
圆筒状下主体,所述圆筒状下主体具有接收槽以接收所述上突出部;
多个下入口,所述多个下入口形成为与所述圆筒状主体相连,所述多个下入口与所述多个上入口一同界定多个气体通路;
下排气通口,所述下排气通口流体连接所述上排气通口;
下交叉流通口,所述下交叉流通口流体连接所述上交叉流通口;以及
热感测通口,所述热感测通口与所述下交叉流通口间隔开。
10.如权利要求9所述的衬垫组件,其中所述热感测通口、所述交叉流通口、所述排气通口、与所述多个上入口具有共用平面。
11.如权利要求9所述的衬垫组件,其中所述多个下入口不与所述多个上入口共平面。
12.如权利要求9所述的衬垫组件,其中所述交叉流通口定位在0度位置处,且所述多个气体通路的中点定位在90度位置处,所述位置是从所述交叉流通口的对分线量起。
13.如权利要求12所述的衬垫组件,其中所述热感测通口定位在5度位置处,所述位置是从对分线量起且位在外周边处。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580045428.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于EPI腔室的注射插件
- 下一篇:使用闪光灯的退火方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造