[发明专利]用于外延腔室的衬垫

说明书

本文公开的实施方式描述一种衬垫组件，该衬垫组件包括多个单独分开的气体通路。该衬垫组件提供跨正受处理的基板上的流动参数的控制，这些参数诸如流速、密度、方向与空间位置。利用根据本实施方式的衬垫组件，跨正受处理的基板的工艺气体可特定地经调整以用于单个的工艺。

背景

技术领域

本公开内容的实施方式一般地涉及用在半导体处理设备中的衬垫。

背景技术

用于制造半导体器件的一些工艺在升高的温度下执行，这些工艺例如快速热处理、外延沉积、化学气相沉积、物理气相沉积、与电子束固化。通常，由一或多个热源于处理腔室中将正受处理的基板加热到期望温度。该一或多个热源一般是安装在腔室主体外，从而由该热源生成的能量辐射至定位在腔室主体内的基板上。

处理气体通常从气体入口供应至腔室，且由连接腔室的泵送系统维持这些处理气体在腔室内流动。常规腔室中的气体分布可能遍及腔室不均匀。例如，接近气体入口处的气体分布与接近泵送通口处的气体分布可能不同，且接近边缘区域的气体分布可能与接近中央区域的气体分布不同。尽管基板的连续旋转可降低气体分布的不均匀性，但当均匀性的需求增加时，单独该旋转所实现的改善可能不足。

因此，需要一种具有改善的气流分布的热反应器。

发明内容

本文公开的实施方式包括用在半导体处理腔室中的衬垫。一个实施方式中，一种衬垫组件可包括：圆筒状主体，该圆筒状主体具有外表面与内表面，该外表面具有外周边，该外周边小于该半导体处理腔室的周边，该内表面形成处理空间的壁；以及多个气体通路，这些气体通路形成为与该圆筒状主体相连；排气通口，定位在该多个气体通路对面；交叉流通口，定位成与该排气通口不平行；以及热感测通口，定位成与该交叉流通口分开。

另一实施方式中，一种衬垫组件可包括：上衬垫，该上衬垫包括：圆筒状上主体，该圆筒状上主体具有上突出部；以及多个上入口，形成为与该圆筒状主体相连；上排气通口，定位成大约平行于该多个上入口；以及上交叉流通口，定位成大约垂直于该排气通口；以及下衬垫，包括：圆筒状下主体，具有接收槽以接收上突出部；以及多个下入口，形成为与该圆筒状主体相连，该多个下入口与该多个上入口一同界定多个气体通路；下排气通口，流体连接该上排气通口；下交叉流通口，可流体连接至该上交叉流通口；以及热感测通口，与该下交叉流通口间隔开。

另一实施方式中，一种衬垫组件可包括：上衬垫，该上衬垫包括：圆筒状上主体，该圆筒状上主体具有上突出部；以及多个上入口，形成为与该圆筒状主体相连，该多个上入口的中线定位在从对分线量起的约90度之处且位于第一平面中；上排气通口，形成在该多个上入口对面，该排气通口的中线定位在从对分线量起的约270度之处且位于该第一平面中；以及上交叉流通口，定位在从对分线量起的约0度之处且位于该第一平面中；以及下衬垫，包括：圆筒状下主体，具有接收槽，该接收槽用于接收该上突出部；以及多个下入口，形成为与该圆筒状主体相连，该多个下入口结合该多个上入口以形成多个气体通路，该多个下入口定位在第二平面中，该第二平面与该第一平面不同；下排气通口，流体连接该上排气通口，该下排气通口定位在实质垂直于该多个下入口处；下交叉流通口，流体连接该上交叉流通口，该下交叉流通口定位在偏离平行于该排气通口之处；以及热感测通口，定位成与该下交叉流通口分开，该多个下入口结合该多个上入口而产生多个气体通路。

附图说明

以上简要概述的本公开内容的上述特征可以被详细理解的方式、以及本公开内容更特定描述，可以通过参考实施方式获得，实施方式中的一些实施方式绘示于附图中。然而，应注意附图仅绘示本公开内容的典型实施方式，因而不应被视对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可允许其它等同有效实施方式。

图1图示根据一个实施方式的背侧加热处理腔室的示意性截面图，该处理腔室具有衬垫组件。

图2A描绘根据本文所述的多个实施方式的上衬垫的俯视图。