[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201580042254.2 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN106663723B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 吴世熙;金钟奎;金在权;姜珉佑;金贤儿 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种发光二极管及其制造方法。该发光二极管包括：第一导电型半导体层；在第一导电型半导体层上彼此间隔开布置的至少两个发光单元，其分别包括有源层和第二导电型半导体层，并且包括第一导电型半导体层通过其而部分地暴露的一个或多个接触孔；位于发光单元之间的附加接触区域；与第二导电型半导体层欧姆接触的第二电极；下绝缘层；以及第一电极，其通过发光单元中的每一者的接触孔以及附加接触区域与第一导电型半导体层进行欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其包括：第一导电型半导体层；至少两个发光单元，其在所述第一导电型半导体层上彼此间隔开设置并且各自包括有源层、第二导电型半导体层和至少一个接触孔，所述至少一个接触孔穿过所述第二导电型半导体层和所述有源层形成，从而暴露所述第一导电型半导体层的一部分；附加接触区域，其设置在所述至少两个发光单元之间并设置在所述至少两个发光单元的外部，并且部分地暴露所述第一导电型半导体层；第一电极，其通过所述至少两个发光单元中的每一者的接触孔和所述附加接触区域与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触；第二电极，其设置在所述至少两个发光单元中的每一者上并且与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触；以及下绝缘层，其覆盖所述第一导电型半导体层的侧表面、所述至少两个发光单元和所述第二电极，其中，所述下绝缘层包括暴露所述接触孔和所述附加接触区域的第一开口和部分地暴露所述第二电极的第二开口，所述第一电极和所述第二电极彼此绝缘。
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