[发明专利]发光二极管及其制造方法

说明书

公开了一种发光二极管及其制造方法。该发光二极管包括：第一导电型半导体层；在第一导电型半导体层上彼此间隔开布置的至少两个发光单元，其分别包括有源层和第二导电型半导体层，并且包括第一导电型半导体层通过其而部分地暴露的一个或多个接触孔；位于发光单元之间的附加接触区域；与第二导电型半导体层欧姆接触的第二电极；下绝缘层；以及第一电极，其通过发光单元中的每一者的接触孔以及附加接触区域与第一导电型半导体层进行欧姆接触。

技术领域

本公开的示例性实施例涉及一种发光二极管以及一种制造该发光二极管的方法，更具体地，涉及一种可以使发光面积的减小最小化并且具有高的电流扩散效率的发光二极管以及一种制造该发光二极管的方法。

背景技术

发光二极管是指被配置为通过电子和空穴的重组而发射光的无机半导体装置，并且近年来，在本领域中已经开发并制造了使用具有直接跃迁特性的氮化物半导体的发光二极管。

根据电极的位置，电极与外部引线的连接结构等，发光二极管可以分为横向型发光二极管和倒装芯片型发光二极管。近来，随着对高功率发光二极管的需求增加，对具有良好散热效率的大型倒装芯片型发光二极管的需求不断增加。

发明内容

技术问题

本公开的示例性实施例提供了具有提高的电流扩散效率的发光二极管。

本公开的示例性实施例提供了一种制造发光二极管的方法，其可以使有源层的去除最小化，同时提高了电流扩散效率，并且能够提供简单的工艺。

技术方案

根据本公开的一个方面，一种发光二极管包括：第一导电型半导体层；至少两个发光单元，该至少两个发光单元在第一导电型半导体层上设置为彼此间隔开，并且发光单元中的每一者均包括有源层、第二导电型半导体层和至少一个接触孔，该至少一个接触孔穿过第二导电型半导体层和有源层形成从而暴露第一导电型半导体层的一部分；附加接触区域，该附加接触区域设置在发光单元之间并部分地暴露第一导电型半导体层；第一电极，该第一电极通过发光单元中的每一者的接触孔和附加接触区域与第一导电型半导体层形成欧姆接触；第二电极，该第二电极设置在发光单元中的每一者上并与第二导电型半导体层形成欧姆接触；和下绝缘层，该下绝缘层覆盖第一导电型半导体层的侧表面、发光单元和第二电极，其中下绝缘层包括暴露接触孔和附加接触区域的第一开口以及部分地暴露第二电极的第二开口，并且第一电极和第二电极彼此绝缘。

第一电极也可以通过附加接触区域与第一导电型半导体层形成欧姆接触，从而提高发光二极管的电流扩散效率。

附加接触区域可以设置在至少四个发光单元之间的区域中，具体地，设置在至少四个发光单元中的每一者的一个拐角与其他三个发光单元的拐角汇合的区域中。

从附加接触区域的中心到至少四个发光单元的中心的距离可以是相同的。

接触孔可以设置在发光单元中的每一者的中心区域中。

发光二极管可进一步包括一个或多个连接层，该连接层将设置在发光单元之一上的第二电极电连接到设置在与一个发光单元相邻的另一个发光单元上的第二电极。

第一电极可以覆盖下绝缘层的至少一部分，并且可以通过第一开口接触第一导电型半导体层。

第一电极可进一步覆盖第一导电型半导体层和发光单元的侧表面，并且可以通过下绝缘层绝缘。

在其他示例性实施例中，发光二极管可进一步包括至少部分地覆盖第一电极的上绝缘层，其中上绝缘层可以包括部分地暴露第一电极的第三开口和部分地暴露第二电极的第四开口。

发光二极管可进一步包括设置在第三开口上并电连接到第一电极的第一焊盘；和设置在第四开口上并电连接到第二电极的第二焊盘。

发光二极管可进一步包括设置在上绝缘层上的散热焊盘。