[发明专利]发光二极管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201580042254.2 申请日: 2015-08-04
公开(公告)号: CN106663723B 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 吴世熙;金钟奎;金在权;姜珉佑;金贤儿 申请(专利权)人: 首尔伟傲世有限公司
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管,其包括:

第一导电型半导体层;

至少两个发光单元,其在所述第一导电型半导体层上彼此间隔开设置并且各自包括有源层、第二导电型半导体层和至少一个接触孔,所述至少一个接触孔穿过所述第二导电型半导体层和所述有源层形成,从而暴露所述第一导电型半导体层的一部分;

附加接触区域,其设置在所述至少两个发光单元之间并设置在所述至少两个发光单元的外部,并且部分地暴露所述第一导电型半导体层;

第一电极,其通过所述至少两个发光单元中的每一者的接触孔和所述附加接触区域与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触;

第二电极,其设置在所述至少两个发光单元中的每一者上并且与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触;以及

下绝缘层,其覆盖所述第一导电型半导体层的侧表面、所述至少两个发光单元和所述第二电极,

其中,所述下绝缘层包括暴露所述接触孔和所述附加接触区域的第一开口和部分地暴露所述第二电极的第二开口,所述第一电极和所述第二电极彼此绝缘。

2.根据权利要求1所述的发光二极管,其中,所述发光二极管包括至少四个发光单元,且所述附加接触区域设置在由所述至少四个发光单元环绕的区域中。

3.根据权利要求2所述的发光二极管,其中,所述附加接触区域设置在其中所述至少四个发光单元中的每一者的一个拐角与其他三个发光单元的拐角汇合的区域中。

4.根据权利要求2所述的发光二极管,其中,从所述附加接触区域的中心至所述至少四个发光单元的中心的距离是相同的。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的发光二极管,其中,所述接触孔设置在所述发光单元中的每一者的中心区域中。

6.根据权利要求1所述的发光二极管,其进一步包括:

一个或多个连接层,其将设置在所述至少两个发光单元中的一个发光单元上的所述第二电极电连接到设置在邻近于所述一个发光单元的另一个发光单元上的所述第二电极。

7.根据权利要求1所述的发光二极管,其中,所述第一电极覆盖所述下绝缘层的至少一部分,并且通过所述第一开口接触所述第一导电型半导体层。

8.根据权利要求7所述的发光二极管,其中,所述第一电极进一步覆盖所述第一导电型半导体层以及所述至少两个发光单元的侧表面,并且通过所述下绝缘层绝缘。

9.根据权利要求1所述的发光二极管,其进一步包括:

上绝缘层,其至少部分地覆盖所述第一电极,

其中所述上绝缘层包括部分地暴露所述第一电极的第三开口和部分地暴露所述第二电极的第四开口。

10.根据权利要求9所述的发光二极管,其进一步包括:

第一焊盘,其设置在所述第三开口上并且电连接到所述第一电极;和

第二焊盘,其设置在所述第四开口上并且电连接到所述第二电极。

11.根据权利要求10所述的发光二极管,其进一步包括:

散热焊盘,其设置在所述上绝缘层上。

12.根据权利要求11所述的发光二极管,其中所述散热焊盘设置在所述第一焊盘和所述第二焊盘之间。

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