[发明专利]非易失性一次性可编程存储器器件

摘要

一种装置包括金属栅极、基板材料、以及该金属栅极与该基板材料之间的氧化层。该氧化层包括接触金属栅极的二氧化铪层以及接触基板材料并接触该二氧化铪层的二氧化硅层。该金属栅极、基板材料、以及氧化层被包括在一次性可编程(OTP)存储器器件中。该OTP存储器器件包括晶体管。该OTP存储器器件的非易失性状态基于该OTP存储器器件的阈值电压移位。

主权项

1.一种装置，包括：p型金属栅极；基板材料；以及所述p型金属栅极与所述基板材料之间的氧化层，其中所述p型金属栅极、所述基板材料、以及所述氧化层被包括在一次性可编程OTP存储器器件中，其中所述OTP存储器器件包括p型金属氧化物半导体PMOS晶体管，其中所述OTP存储器器件的非易失性状态基于所述OTP存储器器件的阈值电压移位，并且其中所述氧化层包括：二氧化铪层，其接触所述p型金属栅极；以及二氧化硅层，其接触所述基板材料并且接触所述二氧化铪层，其中通过执行写操作将所述OTP存储器器件编程为非易失性状态并且执行所述写操作在所述p型金属栅极处具有栅极电流一致的情况下创建软击穿条件。