[发明专利]具有金属、电介质及氮化物兼容性的抗反射涂层清洗及蚀刻后残留物去除组成物在审
| 申请号： | 201580035488.4 | 申请日： | 2015-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN107004575A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 埃马纽尔·I·库珀;斯蒂芬·里皮;宋凌雁 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 齐杨 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种从其上具有抗反射涂层ARC材料及/或蚀刻后残留物的衬底去除所述ARC材料及/或蚀刻后残留物的液体去除组成物及方法。所述组成物在集成电路的制造中实现ARC材料及/或蚀刻后残留物的至少部分去除同时对所述衬底上的金属物质(例如铝、铜及钴合金)有最小蚀刻，且不会损坏半导体架构中所采用的低k电介质及含氮化物材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 电介质 氮化物 兼容性 反射 涂层 清洗 蚀刻 残留物 去除 组成 | ||
【主权项】：
一种液体去除组成物，其包括至少一种含氟化物的化合物、至少一种有机溶剂、任选地水，及电介质钝化剂及/或腐蚀抑制剂及/或至少一种含硅化合物中的至少一者，其中所述液体去除组成物可用于从其上具有抗反射涂层ARC材料及/或蚀刻后残留物的微电子装置去除所述材料及/或残留物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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