[发明专利]具有金属、电介质及氮化物兼容性的抗反射涂层清洗及蚀刻后残留物去除组成物在审
申请号: | 201580035488.4 | 申请日: | 2015-06-02 |
公开(公告)号: | CN107004575A | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 埃马纽尔·I·库珀;斯蒂芬·里皮;宋凌雁 | 申请(专利权)人: | 恩特格里斯公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 齐杨 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 金属 电介质 氮化物 兼容性 反射 涂层 清洗 蚀刻 残留物 去除 组成 | ||
1.一种液体去除组成物,其包括至少一种含氟化物的化合物、至少一种有机溶剂、任选地水,及电介质钝化剂及/或腐蚀抑制剂及/或至少一种含硅化合物中的至少一者,其中所述液体去除组成物可用于从其上具有抗反射涂层ARC材料及/或蚀刻后残留物的微电子装置去除所述材料及/或残留物。
2.根据权利要求1所述的液体去除组成物,其包括至少一种电介质钝化剂,其中所述电介质钝化剂包括选自由以下项组成的群组的物质:丙二酸、硼酸、硼酸氢铵、五硼酸铵、四硼酸钠、硼酸氢铵、3-羟基-2-萘甲酸、亚氨二乙酸及其组合,优选为硼酸。
3.根据权利要求1或2所述的液体去除组成物,其包括至少一种腐蚀抑制剂,其中所述腐蚀抑制剂包括选自由以下项组成的群组的物质:苯并三唑(BTA)、1,2,4-三唑(TAZ)、5-氨基四唑(ATA)、1-羟基苯并三唑、5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、3-氨基-1H-1,2,4-三唑、3,5-二氨基-1,2,4-三唑、甲苯三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三唑、1-氨基-1,2,4-三唑、2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑、1-氨基-1,2,3-三唑、1-氨基-5-甲基-1,2,3-三唑、3-巯基-1,2,4-三唑、3-异丙基-1,2,4-三唑、5-苯基硫醇-苯并三唑、卤基-苯并三唑(卤基=F、Cl、Br或I)、萘并三唑、1H-四唑-5-乙酸、2-巯基苯并噻唑(2-MBT)、1-苯基-2-四唑啉-5-硫酮、2-巯基苯并咪唑(MBI)、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巯基噻唑啉、2,4-二氨基-6-甲基-1,3,5-三嗪、噻唑、咪唑、苯并咪唑、三嗪、甲基四唑、试铋硫醇I(Bismuthiol I)、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、1,5-五亚甲基四唑、1-苯基-5-巯基四唑、二氨甲基三嗪、咪唑啉硫酮、4-甲基-4H-1,2,4-三唑-3-硫醇、5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、吲唑、DNA碱基、吡唑、丙硫醇、抗坏血酸、硫脲、1,1,3,3-四甲基脲、尿素、尿素衍生物、尿酸、乙基黄原酸钾、甘氨酸、十二烷基苯磺酸(DDBSA)、酒石酸、N,N-二甲基乙酰乙酰胺、1-亚硝基-2-萘酚、聚山梨酸酯80(Tween 80)、十二烷基膦酸(DDPA)、乙二胺四乙酸(EDTA)、(1,2-亚环己基二氮基)四乙酸(CDTA)、二亚乙三胺五乙酸(DTPA)、2-膦酰丁烷-1,2,4-三羧酸(PBTCA)、乙二胺二琥珀酸、丙二胺四乙酸;膦酸;羟基亚乙基二膦酸(HEDP)(Dequest 2010)、1-羟乙烷-1,1-二膦酸、氮基-三(亚甲基膦酸)(NTMP)、氨基三(亚甲基膦酸)(Dequest 2000)、二亚乙三胺五(亚甲基膦酸)(Dequest 2060S)、乙二胺四(亚甲基膦酸)(EDTMPA)及其组合,优选为DDPA。
4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的液体去除组成物,其包括至少一种含硅化合物,其中所述含硅化合物包括选自由以下项组成的群组的物质:甲基三甲氧硅烷、二甲基二甲氧硅烷、苯基三甲氧硅烷、四乙氧硅烷(TEOS)、N-丙基三甲氧硅烷、N-丙基三乙氧硅烷、己基三甲氧硅烷、己基三乙氧硅烷、六氟硅酸铵、硅酸钠、硅酸钾、四甲基硅酸铵(TMAS)、四乙酰氧硅烷、二-叔丁氧二乙酰氧硅烷、乙酰氧甲基三乙氧硅烷及其组合,优选为TMAS。
5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的液体去除组成物,其中所述至少一种有机溶剂包括选自由以下项组成的群组的化合物:四亚甲砜、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、叔丁醇、1-戊醇、己醇、环己醇、2-乙基-1-己醇、苯甲醇、呋喃甲醇、乙二醇、二甘醇、丙二醇(1,2-丙二醇)、四亚甲二醇(1,4-丁二醇)、2,3-丁二醇、1,3-丁二醇、新戊二醇、二甘醇单甲醚、三甘醇单甲醚、二甘醇单乙醚、三甘醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚、二甘醇单丁醚、三甘醇单丁醚、丙二醇甲基醚、二丙二醇甲基醚、三丙二醇甲基醚、丙二醇正丙基醚、二丙二醇正丙基醚、三丙二醇正丙基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁基醚及三丙二醇正丁基醚、二甲基乙酰胺、甲酰胺、二甲基甲酰胺、1-甲基-2-吡咯烷酮、二甲亚砜、四氢呋喃甲醇(THFA)及其组合。
6.根据前述权利要求中任一权利要求所述的液体去除组成物,其中至少一种有机溶剂包括选自由以下项组成的群组的化合物:乙二醇、丙二醇、2-丙醇、1-丙醇、1-丁醇、1,4-丁二醇、1-戊醇及其组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造