[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201580020290.9 | 申请日： | 2015-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN106463503B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 森诚悟;明田正俊 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;陈岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置，包括：由第1导电型的SiC构成的半导体层；在所述半导体层的表面部形成多个并分别构成单位单元的第2导电型的主体区域；形成在所述主体区域的内侧的第1导电型的源极区域；隔着栅极绝缘膜而与所述主体区域对置的栅极电极；在所述半导体层的背面部相邻地形成的第1导电型的漏极区域及第2导电型的集电极区域；以及所述主体区域与所述漏极区域之间的漂移区域，所述集电极区域以在沿着所述半导体层的表面的X轴上覆盖至少包含两个所述单位单元的区域的方式形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n由第1导电型的SiC构成的半导体层；/n在所述半导体层的表面部形成多个并分别构成单位单元的第2导电型的主体区域；/n形成在所述主体区域的内侧的第1导电型的源极区域；/n隔着栅极绝缘膜而与所述主体区域对置的栅极电极；/n在所述半导体层的背面部相邻地形成的第1导电型的漏极区域及第2导电型的集电极区域；以及/n所述主体区域与所述漏极区域之间的漂移区域，/n所述集电极区域以在沿着所述半导体层的表面的X轴上覆盖至少包含两个所述单位单元的区域的方式形成。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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