[发明专利]包含具有邻近于源极边缘的源极触点的存储器阵列的设备有效

专利信息
申请号: 201580019493.6 申请日: 2015-03-05
公开(公告)号: CN106170863B 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 丹沢彻 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/11573 分类号: H01L27/11573;H01L27/11582;H01L27/11556;H01L27/11548;H01L27/11575;H01L27/11526;H01L27/1157;H01L27/11524
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 路勇
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本文中描述包含三维3D存储器装置的各种设备及包含3D存储器装置的系统。在一个实施例中,3D存储器装置可包含:至少两个源极;至少两个存储器阵列,其分别形成于所述至少两个源极上方且耦合到所述至少两个源极;及源极导体,其使用邻近于所述源极的一或多个边缘的源极触点分别电耦合到所述至少两个源极。所述至少两个存储器阵列中的每一者可包含存储器单元、控制栅极及数据线。在源极的边缘与邻近于所述边缘的所述源极触点之间不存在数据线。
搜索关键词: 包含 具有 邻近 边缘 触点 存储器 阵列 设备
【主权项】:
1.一种存储器设备,其包括:第一源极和第二源极;第一存储器阵列和第二存储器阵列,每一存储器阵列形成于各个源极上方且耦合到各个源极,其中所述存储器阵列中的每一者包含垂直存储器单元串、控制栅极及数据线,所述控制栅极包括耦合至存储器单元的各个群组的相应字线;及源极导体,其在所述第一存储器阵列和所述第二存储器阵列上方延伸并延所述字线方向延伸,所述源极导体通过相应的第一源极触点和第二源极触点耦合到所述第一源极和所述第二源极,每一源极触点邻近于所述各个源极的边缘,其中延所述字线方向的每一源极的所述边缘与邻近所述边缘并接触每一源极的所述源极触点之间不存在与所述各个源极相关的所述存储器阵列的数据线;其中所述第一存储器阵列和所述第二存储器阵列内部不存在延伸穿过所述字线的源极布线。
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