[发明专利]包含具有邻近于源极边缘的源极触点的存储器阵列的设备有效
申请号: | 201580019493.6 | 申请日: | 2015-03-05 |
公开(公告)号: | CN106170863B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 丹沢彻 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/11573 | 分类号: | H01L27/11573;H01L27/11582;H01L27/11556;H01L27/11548;H01L27/11575;H01L27/11526;H01L27/1157;H01L27/11524 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文中描述包含三维3D存储器装置的各种设备及包含3D存储器装置的系统。在一个实施例中,3D存储器装置可包含:至少两个源极;至少两个存储器阵列,其分别形成于所述至少两个源极上方且耦合到所述至少两个源极;及源极导体,其使用邻近于所述源极的一或多个边缘的源极触点分别电耦合到所述至少两个源极。所述至少两个存储器阵列中的每一者可包含存储器单元、控制栅极及数据线。在源极的边缘与邻近于所述边缘的所述源极触点之间不存在数据线。 | ||
搜索关键词: | 包含 具有 邻近 边缘 触点 存储器 阵列 设备 | ||
【主权项】:
1.一种存储器设备,其包括:第一源极和第二源极;第一存储器阵列和第二存储器阵列,每一存储器阵列形成于各个源极上方且耦合到各个源极,其中所述存储器阵列中的每一者包含垂直存储器单元串、控制栅极及数据线,所述控制栅极包括耦合至存储器单元的各个群组的相应字线;及源极导体,其在所述第一存储器阵列和所述第二存储器阵列上方延伸并延所述字线方向延伸,所述源极导体通过相应的第一源极触点和第二源极触点耦合到所述第一源极和所述第二源极,每一源极触点邻近于所述各个源极的边缘,其中延所述字线方向的每一源极的所述边缘与邻近所述边缘并接触每一源极的所述源极触点之间不存在与所述各个源极相关的所述存储器阵列的数据线;其中所述第一存储器阵列和所述第二存储器阵列内部不存在延伸穿过所述字线的源极布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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