[发明专利]宽带隙半导体装置以及宽带隙半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580001788.0 | 申请日： | 2015-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN107078167B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 前山雄介;中村俊一;小笠原淳;大泽良平;涉川昭彦 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括:第一导电型半导体层(32)；第二导电型区域(41)、(42)，设置在所述第一导电型半导体层(32)上；第一电极(10)，其一部分位于第二导电型区域(41)、(42)上，其残余部分位于所述第一导电型半导体层(32)上；绝缘层(51)、(52)、(53)，在所述第一导电型半导体层(32)上与所述第一电极(10)邻接设置，并延伸至所述宽带隙半导体装置的端部；以及,第二电极(20)，设置在所述第一电极(10)与所述宽带隙半导体装置的端部之间，并与所述第一导电型半导体层(32)形成肖特基接触。 | ||
| 搜索关键词： | 宽带 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型半导体层；第二导电型区域，设置在所述第一导电型半导体层上；第一电极，其一部分位于第二导电型区域上，其残余部分位于所述第一导电型半导体层上；绝缘层，在所述第一导电型半导体层上与所述第一电极邻接设置，并延伸至所述宽带隙半导体装置的端部；以及第二电极，设置在所述第一电极与所述宽带隙半导体装置的端部之间，并与所述第一导电型半导体层形成肖特基接触。
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