[发明专利]宽带隙半导体装置以及宽带隙半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括：

第一导电型半导体层；

第二导电型区域，设置在所述第一导电型半导体层上；

第一电极，其一部分位于第二导电型区域上，其残余部分位于所述第一导电型半导体层上；

绝缘层，在所述第一导电型半导体层上与所述第一电极邻接设置，并延伸至所述宽带隙半导体装置的端部；以及

第二电极，设置在所述第一电极与所述宽带隙半导体装置的端部之间，并与所述第一导电型半导体层形成肖特基接触,

其中，所述第二导电型区域的端部与所述第二电极和第一导电型半导体层之间的接触面的端部之间的距离，比理论上的耗尽层宽度大，所述理论上的耗尽层宽度计算公式为：

式中，ε_s为半导体的透电率，V_bi为内置电位，N_d为施主浓度。

2.根据权利要求1所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，一个所述第二电极被设置为连续性地或是断续性地包围所述第一电极的一部分或是整体。

3.根据权利要求1所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，所述绝缘层具有设置在所述第一导电型半导体层上的第一绝缘层，

所述第二电极具有在所述第一绝缘层上沿平面方向突出的突出部。

4.根据权利要求1所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，所述绝缘层具有设置在所述第一导电型半导体层上的第一绝缘层；以及

具有设置在所述第一绝缘层上并且将所述第二电极完全覆盖的第二绝缘层。

5.根据权利要求4所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，所述第二电极不设置在所述宽带隙半导体装置的端部上。

6.根据权利要求1所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，第二导电型电场松弛区域的至少一部分设置在所述第二电极的下方。

7.根据权利要求6所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，所述第二导电型电场松弛区域包含高浓度第二导电型电场松弛区域；以及

与所述高浓度第二导电型电场松弛区域相比，第二导电型掺杂物浓度较低的低浓度第二导电型电场松弛区域，

其中，所述高浓度第二导电型电场松弛区域位于所述低浓度第二导电型电场松弛区域的内侧。

8.一种宽带隙半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在第一导电型半导体层上设置第二导电型区域；

在第二导电型区域上设置第一电极的一部分，在所述第一导电型半导体层上设置第一电极的残余部分；

在所述第一电极与所述宽带隙半导体装置的端部之间设置第二电极，并与所述第一导电型半导体层形成肖特基接触；以及

在所述第一导电型半导体层上将延伸至所述宽带隙半导体装置端部的绝缘层与所述第一电极邻接设置,

其中，所述第二导电型区域的端部与所述第二电极和第一导电型半导体层之间的接触面的端部之间的距离，比理论上的耗尽层宽度大，所述理论上的耗尽层宽度计算公式为：

式中，ε_s为半导体的透电率，V_bi为内置电位，N_d为施主浓度。

9.根据权利要求8所述的宽带隙半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第二电极在设置所述第一电极时设置，并且所述第一电极与所述第一导电型半导体层形成肖特基接触。

10.根据权利要求8所述的宽带隙半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，第二导电型电场松弛区域在设置所述第二导电型区域时设置，所述第二电极设置在所述第二导电型电场松弛区域的至少一部分的上方。