[实用新型]一种MOSFET保护电路

摘要

本实用新型公开了一种MOSFET保护电路，包括控制器MCU、第三限流电阻R3、MOSFET驱动器U1、第四驱动限流电阻R4、MOSFET管Q1、第六电流取样电阻R6，设置在第六电流取样电阻R6两端的差分放大电路、电连接差分放大电路的RC延时电路和施密特触发器二U4，施密特触发器二U4经第一二极管D1接入到第三限流电阻R3与MOSFET驱动器U1的电连接点上，通过RC延时电路，可以在MOSFET管Q1过流的情况下，让MOSFET管Q1以固定频率进行工作，不会因快速反复开关而损坏；另外，MOSFET管Q1的漏极（D极）电连接诊断反馈电路，以读取负载低边状态，实现故障诊断功能。

主权项

 一种MOSFET保护电路，其特征在于：包括控制器MCU、第三限流电阻R3、MOSFET驱动器U1、第四驱动限流电阻R4、MOSFET管Q1、第六电流取样电阻R6，所述的控制器MCU经第三限流电阻R3电连接到MOSFET驱动器U1的输入端，MOSFET驱动器U1输出端经第四驱动限流电阻R4与MOSFET管Q1的栅极（G极）相连，所述的MOSFET管Q1的源极（S极）经第六电流取样电阻R6后接地，所述的MOSFET管Q1的漏极（D极）电连接外部负载；设置在第六电流取样电阻R6两端，把从第六电流取样电阻R6两端取样的代表电流大小的压差信号放大的差分放大电路；电连接所述的差分放大电路的RC延时电路；以及，设置在所述的RC延时电路输出端的施密特触发器二U4，所述的施密特触发器二U4的输出端与第一二极管D1的负极相连；第一二极管D1的正极接入到第三限流电阻R3与MOSFET驱动器U1的输入端的电连接点上。