[实用新型]一种硅基模块的封装结构

摘要

本实用新型涉及一种硅基模块的封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体、硅基芯片和金属突起物，所述硅基芯片的正面覆盖图案化的钝化层并开设露出电极的上表面的钝化层开口，在所述钝化层开口内设置镍/金层和焊球，所述金属突起物设置于硅基芯片的旁侧，所述硅基本体的上表面选择性地设置再布线金属层，所述金属突起物与再布线金属层固连，所述硅基芯片与再布线金属层正装固连，并实现电气连通，所述焊球的顶高和金属突起物的顶高在同一平面。本实用新型提供了一种封装结构简洁、保证各项性能指标的硅基模块的封装结构。

主权项

一种硅基模块的封装结构，其包括硅基载体（202），所述硅基载体（202）的上表面设置绝缘层（230），其特征在于：还包括硅基芯片（100）和金属突起物，所述硅基芯片（100）的正面设有若干个电极、背面设有金属层，所述硅基芯片（100）的正面覆盖图案化的钝化层（130）并开设露出电极的上表面的钝化层开口（131），所述钝化层开口（131）呈阵列状分布，在所述钝化层开口（131）内依次设置镍/金层（140）和焊球（150），所述焊球（150）通过镍/金层（140）分别与电极固连；所述金属突起物设置于硅基芯片（100）的旁侧；所述硅基载体（202）的横截面尺寸大于硅基芯片（100）的横截面尺寸，所述硅基载体（202）承载金属突起物和硅基芯片（100），所述硅基载体（202）的绝缘层（230）的上表面选择性地设置再布线金属层（210），所述金属突起物与再布线金属层（210）固连，所述硅基芯片（100）的背面的金属层与再布线金属层（210）之间设置焊锡层（400），所述硅基芯片（100）与再布线金属层（210）正装固连，并实现电气连通，所述焊球（150）的顶高和金属突起物的顶高在同一平面。