[实用新型]一种通过温场调控溶液流向的氮化物单晶生长装置有效
| 申请号： | 201520345520.6 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN204714947U | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 巫永鹏;李成明;陈蛟;罗睿宏;李顺峰;张国义 | 申请（专利权）人： | 北京大学东莞光电研究院 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B7/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 罗晓林 |
| 地址： | 523000 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种通过温场调控溶液流向的氮化物单晶生长装置，包括反应釜，该反应釜内填充有反应物溶液，反应釜内设有晶种模板，所反应釜侧壁周围设有第一加热装置，反应釜底面外表面设有第二加热装置，反应釜内设有位于反应物溶液的液面上方的第三加热装置，第一加热装置的加热温度高于第二加热装置和第三加热装置的加热温度，第二加热装置的加热温度和第三加热装置的加热温度相异。本实用新型通过不同加热装置实现温度控制，使得反应釜内的反应物溶液形成有序的对流，使对流的中心点集中在晶种模板上，有效增加了晶体生长所需的N浓度。解决热对流无序引起的晶体生长不均匀及晶体质量差等问题，提高晶体质量且显著增大晶体生长速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 调控 溶液 流向 氮化物 生长 装置 | ||
【主权项】：
一种通过温场调控溶液流向的氮化物单晶生长装置，包括反应釜，该反应釜内填充有反应物溶液，反应釜内设有晶种模板，其特征在于，所反应釜侧壁周围设有第一加热装置，反应釜底面外表面设有第二加热装置，反应釜内设有位于反应物溶液的液面上方的第三加热装置，第一加热装置的加热温度高于第二加热装置和第三加热装置的加热温度，第二加热装置的加热温度和第三加热装置的加热温度相异。
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