[实用新型]芯片封装结构有效
申请号: | 201520296084.8 | 申请日: | 2015-05-08 |
公开(公告)号: | CN204632746U | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 王钊 | 申请(专利权)人: | 无锡中星微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/538 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 庞聪雅 |
地址: | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供一种芯片封装结构,其包括:第一晶片,其晶片的正面具有第一压焊区和第二压焊区;第二晶片,其晶片的正面具有第三压焊区、第四压焊区和第五压焊区;多个第一焊球;多个第二焊球,其外径大于第一焊球的外径。其中,第一晶片上的第一压焊区通过第一焊球与第二晶片上的第五压焊区电性相接,第一晶片上的第二压焊区通过第一焊球与第二晶片上的第三压焊区电性相接,第四压焊区上电性连接有第二焊球。这样,可以减小第一晶片和第二晶片封装在一起的尺寸。 | ||
搜索关键词: | 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种芯片封装结构,其特征在于,其包括:第一晶片,其晶片的正面具有第一压焊区和第二压焊区;第二晶片,其晶片的正面具有第三压焊区、第四压焊区和第五压焊区;多个第一焊球;多个第二焊球,其外径大于第一焊球的外径;其中,第一晶片上的第一压焊区通过第一焊球与第二晶片上的第五压焊区电性相接,第一晶片上的第二压焊区通过第一焊球与第二晶片上的第三压焊区电性相接,第四压焊区上电性连接有第二焊球。
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