[实用新型]一种无包裹物碳化硅单晶生长室有效
| 申请号： | 201520284059.8 | 申请日： | 2015-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN204570093U | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 宗艳民;高玉强;宋建;张志海;刘家朋;张红岩;李加林 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 苗峻;杨婷 |
| 地址： | 250000 山东省济南市历下区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型属于晶体生长领域，涉及一种无包裹物碳化硅单晶生长室，生长室内壁顶部设有籽晶托，生长室内部两侧壁上分别设有相互匹配的定位滑块，定位滑块上至少设有一级石墨滤网，所述的石墨滤网上表面和下表面均涂有耐高温金属化合物涂层；所述的石墨滤网的外径与生长室内径相适应；所述的耐高温金属化合物涂层选自稀有金属的碳化物或稀有金属的氮化物或其混合物；所述的稀有金属选自钽或铪或铌或钛或锆或钨或钒。采用本实用新型，可以较好的阻挡C颗粒的输送，同时保证碳化硅升华产生气体的通过，这样既去除了碳化硅单晶中的包裹物，又保证了碳化硅单晶的正常生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 包裹 碳化硅 生长 | ||
【主权项】：
一种无包裹物碳化硅单晶生长室，生长室内壁顶部设有籽晶托(1)，其特征在于：生长室内部两侧壁上分别设有相互匹配的定位滑块(2)，定位滑块(2)上至少设有一级石墨滤网(3)，所述的石墨滤网(3)的外径与生长室内径相适应；所述的石墨滤网(3)上表面和下表面均涂有耐高温金属化合物涂层(4)；所述的耐高温金属化合物涂层(4)选自稀有金属的碳化物或稀有金属的氮化物或其混合物；所述的稀有金属选自钽或铪或铌或钛或锆或钨或钒。
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