[实用新型]一种TO-220气密性框架结构有效
申请号: | 201520228628.7 | 申请日: | 2015-04-15 |
公开(公告)号: | CN204668294U | 公开(公告)日: | 2015-09-23 |
发明(设计)人: | 诸建周;汤为 | 申请(专利权)人: | 无锡罗姆半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 李广 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种TO-220气密性框架结构,包括芯片安装部,所述芯片安装部一端连接有散热片,所述散热片上设置有一圆形安装孔,所述芯片安装部另一端焊接有框架引线,其特征在于:所述芯片安装部上颈正面设置有第一凹槽和第二凹槽,背面设置有第一凹槽,所述第二凹槽设置在所述第一凹槽内。本实用新型设置的第一凹槽和第二凹槽可以是颈部更好的跟塑料结合,并减少切筋切除散热固定部多余的铜材传来应力的影响;增大了组装面积,有原来的最大组装为宽6.0mm高4.5mm的最大芯片面积,改变后可以增加到宽6.5mm高4.7mm的最大芯片面积。 | ||
搜索关键词: | 一种 to 220 气密性 框架结构 | ||
【主权项】:
一种TO‑220气密性框架结构,包括芯片安装部,所述芯片安装部一端连接有散热片,所述散热片上设置有一圆形安装孔,所述芯片安装部另一端焊接有框架引线,其特征在于:所述芯片安装部上颈正面设置有第一凹槽和第二凹槽,背面设置有第一凹槽,所述第二凹槽设置在所述第一凹槽内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡罗姆半导体科技有限公司,未经无锡罗姆半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520228628.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。