[实用新型]一种TO-220气密性框架结构有效
| 申请号： | 201520228628.7 | 申请日： | 2015-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN204668294U | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 诸建周;汤为 | 申请（专利权）人： | 无锡罗姆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李广 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 to 220 气密性 框架结构 | ||
1.一种TO-220气密性框架结构，包括芯片安装部，所述芯片安装部一端连接有散热片，所述散热片上设置有一圆形安装孔，所述芯片安装部另一端焊接有框架引线，其特征在于：所述芯片安装部上颈正面设置有第一凹槽和第二凹槽，背面设置有第一凹槽，所述第二凹槽设置在所述第一凹槽内。
2.根据权利要求1所述的一种TO-220气密性框架结构，其特征在于：所述第一凹槽长3.3mm宽0.9mm，所述第二凹槽长3.0mm宽0.7mm。
3.根据权利要求1所述的一种TO-220气密性框架结构，其特征在于：所述芯片安装部上边框、左边框以及右边框设置有斜角。
4.根据权利要求3所述的一种TO-220气密性框架结构，其特征在于：所述斜角的角度为15°。
5.根据权利要求3所述的一种TO-220气密性框架结构，其特征在于：所述斜角的深度为0.16±0.02mm。
6.根据权利要求1所述的一种TO-220气密性框架结构，其特征在于：所述芯片安装部上设置有第一正方形和第二正方形，其中所述第二正方形位于所述第一正方形内部。
7.根据权利要求6所述的一种TO-220气密性框架结构，其特征在于：所述第一正方形和第二正方形间距为0.1mm。
8.根据权利要求7所述的一种TO-220气密性框架结构，其特征在于：所述第一正方形和第二正方形的压痕深度为0.16mm±0.02。
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