[实用新型]双向对称ESD保护器件有效
| 申请号： | 201520201899.3 | 申请日： | 2015-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN204441279U | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王平;张常军;周琼琼;陈祖银 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种双向对称ESD保护器件，该器件包括：第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底作为集电区；第二掺杂类型的埋层，位于所述半导体衬底的正面，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；第二掺杂类型的外延层，覆盖在所述埋层的正面上；第一掺杂类型的发射区，位于所述外延层的正面。本实用新型能够使三极管中的集电极至发射极电压和发射极至集电极电压基本对称，形成双向对称的ESD保护器件。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 对称 esd 保护 器件 | ||
【主权项】：
一种双向对称ESD保护器件，其特征在于，包括：第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底作为集电区；第二掺杂类型的埋层，位于所述半导体衬底的正面，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；第二掺杂类型的外延层，覆盖在所述埋层的正面上；第一掺杂类型的发射区，位于所述外延层的正面。
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