[实用新型]一种内层电介质可靠性测试结构有效
| 申请号： | 201520135453.5 | 申请日： | 2015-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN204424253U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 许晓锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种内层电介质可靠性测试结构，所述测试结构至少包括第一子测试结构和第二子测试结构；所述第一子测试结构包括若干纵向排列的第一多晶硅和若干横向排列的第二多晶硅；所述第二子测试结构包括一列纵向排列的第一多晶硅、若干条横向第一多晶硅、以及设置有若干第二多晶硅。本实用新型测试结构中的第二多晶硅尺寸更短小，可以更加真实的模拟实际器件的结构，该结构不仅可以用于第一多晶硅与第二多晶硅之间电介质可靠性的测试，还可以用于第一多晶硅与第一多晶硅之间、第二多晶硅与第二多晶硅之间、金属线之间、以及通孔金属之间电介质可靠性的测试。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内层 电介质 可靠性 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种内层电介质可靠性测试结构，其特征在于，所述测试结构至少包括第一子测试结构和第二子测试结构；所述第一子测试结构包括若干纵向排列的第一多晶硅，所述纵向排列的第一多晶硅与第一多晶硅之间设置有若干横向排列的第二多晶硅；所述第二子测试结构包括一列纵向排列的第一多晶硅、与该列第一多晶硅相连的若干条横向第一多晶硅，每一行横向第一多晶硅与第一多晶硅之间设置有若干第二多晶硅；所述第二子测试结构中的第二多晶硅在纵向方向上分别与所述第一子测试结构中的第一多晶硅、第二多晶硅对齐；所述第一子测试结构的第一多晶硅、与所述第一子测试结构的第一多晶硅对齐的所述第二子测试结构中的第二多晶硅均通过通孔金属与第一金属线电连；所述第二子测试结构中纵向排列的第一多晶硅、所述第一子测试结构的第二多晶硅、与所述第一子测试结构中第二多晶硅对齐的所述第二子测试结构中的第二多晶硅均通过通孔金属与第二金属线电连。
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