[实用新型]一种内层电介质可靠性测试结构有效
| 申请号： | 201520135453.5 | 申请日： | 2015-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN204424253U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 许晓锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 内层 电介质 可靠性 测试 结构 | ||
1.一种内层电介质可靠性测试结构，其特征在于，所述测试结构至少包括第一子测试结构和第二子测试结构；
所述第一子测试结构包括若干纵向排列的第一多晶硅，所述纵向排列的第一多晶硅与第一多晶硅之间设置有若干横向排列的第二多晶硅；
所述第二子测试结构包括一列纵向排列的第一多晶硅、与该列第一多晶硅相连的若干条横向第一多晶硅，每一行横向第一多晶硅与第一多晶硅之间设置有若干第二多晶硅；
所述第二子测试结构中的第二多晶硅在纵向方向上分别与所述第一子测试结构中的第一多晶硅、第二多晶硅对齐；
所述第一子测试结构的第一多晶硅、与所述第一子测试结构的第一多晶硅对齐的所述第二子测试结构中的第二多晶硅均通过通孔金属与第一金属线电连；
所述第二子测试结构中纵向排列的第一多晶硅、所述第一子测试结构的第二多晶硅、与所述第一子测试结构中第二多晶硅对齐的所述第二子测试结构中的第二多晶硅均通过通孔金属与第二金属线电连。
2.根据权利要求1所述的内层电介质可靠性测试结构，其特征在于：所述第一子测试结构与第二子测试结构之间、第一子测试结构内部、第二子测试结构内部均通过内层电介质隔离绝缘。
3.根据权利要求2所述的内层电介质可靠性测试结构，其特征在于：所述第一多晶硅与相邻第二多晶硅之间的内层电介质为侧墙结构。
4.根据权利要求2所述的内层电介质可靠性测试结构，其特征在于：所述内层电介质材料为SiO2。
5.根据权利要求1所述的内层电介质可靠性测试结构，其特征在于：所述第一金属线和第二金属线分别通过测试焊垫与外界电信号连接。
6.根据权利要求1所述的内层电介质可靠性测试结构，其特征在于：所述测试结构还包括衬底，所述第一子测试结构和第二子测试结构制作在所述衬底表面。
7.根据权利要求6所述的内层电介质可靠性测试结构，其特征在于：所述第一子测试结构和第二子测试结构制作在所述衬底中的浅沟槽隔离结构表面。
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