[实用新型]用于半导体设备的排气装置有效
申请号: | 201520038063.6 | 申请日: | 2015-01-19 |
公开(公告)号: | CN204332924U | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 崔相玉;魏明德;金惠东;金度亨 | 申请(专利权)人: | 徐州同鑫光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 徐州支点知识产权代理事务所(普通合伙) 32244 | 代理人: | 张荣亮 |
地址: | 221000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开一种用于半导体设备的排气装置,属于半导体设备技术领域,包括可连接在工艺腔体上的压力控制器,压力控制器的另一端装有排气管(3),排气管上装有用于抽气的高真空泵和低真空泵,高真空泵、低真空泵的一侧分别设有用于控制气体流动的阀门,还包括安装在排气管内的旋转力施加装置(7);旋转力施加装置包括螺旋扇(8),螺旋扇的外侧设有装置外壳,螺旋扇通过支撑杆固定在装置外壳内;旋转力施加装置安装在排气管内弯曲部(3A)的两侧。本实用新型的装置能有效抑制并防止污染物附着在排气管内壁上,避免造成杂质富集,并通过持续稳定、大范围的排气压力,使污染物更彻底的被排出,保证了生产效率及产品良率。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体设备 排气装置 | ||
【主权项】:
一种用于半导体设备的排气装置,包括可连接在工艺腔体(1)上的压力控制器(2),压力控制器(2)的另一端装有排气管(3),排气管(3)上装有用于抽气的高真空泵(5)和低真空泵(6),高真空泵(5)安装在压力控制器(2)和低真空泵(6)之间,所述的高真空泵(5)的一侧、低真空泵(6)的一侧分别设有用于控制气体流动的阀门(4),其特征在于,还包括安装在排气管(3)内的旋转力施加装置(7);所述的旋转力施加装置(7)包括可随着排气管(3)内气流产生自旋转的螺旋扇(8),螺旋扇(8)的外侧设有可安装在排气管(3)上的装置外壳(10),螺旋扇(8)通过支撑杆(9)固定在装置外壳(10)内;所述的旋转力施加装置(7)安装在排气管(3)内弯曲部(3A)的两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造