[实用新型]用于半导体设备的排气装置有效
申请号: | 201520038063.6 | 申请日: | 2015-01-19 |
公开(公告)号: | CN204332924U | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 崔相玉;魏明德;金惠东;金度亨 | 申请(专利权)人: | 徐州同鑫光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 徐州支点知识产权代理事务所(普通合伙) 32244 | 代理人: | 张荣亮 |
地址: | 221000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体设备 排气装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种排气装置,特别涉及一种用于半导体设备的排气装置,属于半导体设备技术领域。
背景技术
现有半导体元件是通过各种工艺对晶片加工制造而成的,为了进行各种工艺需要将生产设备与外界环境隔离,形成密闭的内部生产空间,这种空间即为工艺腔体(process chamber)。加工时,工艺腔体内部需要形成洁净的高真空状态,但随着工艺的进行,腔体内部会生成各种杂质,为了保证生产中的晶体不受污染,需将各种杂质通过排气的方式完全排出。
例如在蚀刻(etching)设备上进行蚀刻时,先使工艺腔体内形成高真空状态,待内部形成等离子体后,向腔体内注入所需的工艺气体,进而将晶体上的特定区域切除。随着工艺的进行,腔体内未反应的工艺气体、反应副产物、颗粒、聚合物等各种杂质富集,如不能及时排出,会污染晶片,导致产品良率降低。
因此,为将工艺过程中产生的各种杂质污染物排出,需在工艺腔体内安装结构如图1所示的真空排气装置,该装置包括连接在工艺腔体1上的压力控制器2和通往外部的排气管3,排气管3上装有高、低真空泵和控制阀门4,使用时,通过低真空泵6进行第一次抽气使排气管3的压力降到一定的程度后,打开靠近低真空泵6的阀门4,再通过高真空泵5进行二次抽气,然后打开靠近压力控制器2的阀门4,通过上述一连串的动作将杂质污染物从工艺腔体1内完全排出。
使用中发现,杂质污染物经排气管3排出的过程中,会有部分杂质附着在排气管3的内壁上,特别是对于非直筒型排气管,如本身存在弯曲部分的排气管,由于污染物不能顺畅通过排气管的曲折部位,很容易在管道内壁上沉积,导致排气装置抽气能力下降,影响工艺的顺畅进行,严重者会导致设备频繁的停机,使生产效率下降;另外若杂质污染物不能完全的清除,会使基板受到污染,进而导致产品良率下降。
发明内容
针对上述现有技术存在的问题,本实用新型提供一种用于半导体设备的排气装置,可使排气管内的杂质污染物顺畅的排出,有效防止污染物堆积或吸附在排气管内壁上,保障产品良率及设备的正常运行。
为了实现上述目的,本实用新型采用的一种用于半导体设备的排气装置,包括可连接在工艺腔体上的压力控制器,压力控制器的另一端装有排气管,排气管上装有用于抽气的高真空泵和低真空泵,高真空泵安装在压力控制器和低真空泵之间,所述的高真空泵的一侧、低真空泵的一侧分别设有用于控制气体流动的阀门,还包括安装在排气管内的旋转力施加装置;
所述的旋转力施加装置包括可随着排气管内气流产生自旋转的螺旋扇,螺旋扇的外侧设有可安装在排气管上的装置外壳,螺旋扇通过支撑杆固定在装置外壳内;
所述的旋转力施加装置安装在排气管内弯曲部的两侧。
进一步的,螺旋扇固定在安装轴上,安装轴固定在支撑杆上,所述的安装轴可在支撑杆上作自旋转运动。
进一步的,支撑杆的两端设有连接螺纹,装置外壳上设有与连接螺纹配合的螺纹,支撑杆与装置外壳通过螺纹连接。
进一步的,旋转力施加装置安装在弯曲部的两侧,每侧安装一个。
进一步的,装置外壳为环状,装置外壳通过连接件安装在排气管上。
与传统的排气装置相比,本实用新型的装置通过在排气管内安装旋转力施加装置,当气管内有气流时,带动螺旋扇自旋转,流经螺旋扇的气流受到螺旋力的作用,进而形成更强的气流,将排气管内的杂质污染物排出;同时螺旋扇能将原有的直线气流转变成螺旋气流,气流流经范围更广,杂质清除面积大。本实用新型的装置能有效抑制并防止污染物附着在排气管内壁上,避免造成杂质富集,并通过持续稳定、大范围的排气压力,使污染物更彻底的被排出,保证了生产效率及产品良率。
附图说明
图1为现有的真空排气装置的结构示意图;
图2为本实用新型的结构示意图;
图3为图2的局部放大图及排气管内部气流运动示意图;
图4为本实用新型中旋转力施加装置的结构示意图;
图5为图4中内部结构示意图;
图中:1、工艺腔体,2、压力控制器,3、排气管,3A、弯曲部,4、阀门,5、高真空泵,6、低真空泵,7、旋转力施加装置,8、螺旋扇,9、支撑杆,9A、连接螺纹,10、装置外壳,11、安装轴。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造