[发明专利]埋藏沟道晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201511021410.5 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106935646B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 邱慈云;克里夫·德劳利;辜良智;江宇雷;余达强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种埋藏沟道晶体管及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成阱区；在阱区内形成反型掺杂区，反型掺杂区中掺杂的类型与阱区中掺杂的类型相反，且反型掺杂区的深度小于阱区的深度；在所述反型掺杂区的上方的半导体衬底表面上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的栅电极，所述栅电极的中掺杂有杂质离子，所述栅电极中掺杂的类型与阱区的类型相同；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成源区和漏区，所述源区和漏区中掺杂类型与阱区中的杂质离子类型相反，源区和漏区的深度小于阱区的深度且大于反型掺杂区的深度。本发明方法形成的晶体管防止了闪烁噪音的产生，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 埋藏 沟道 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种埋藏沟道晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成阱区；在所述阱区内形成反型掺杂区，所述反型掺杂区中掺杂的杂质离子的类型与阱区中掺杂的杂质离子的类型相反，且反型掺杂区的深度小于阱区的深度；在所述反型掺杂区的上方的半导体衬底表面上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的栅电极，所述栅电极的中掺杂有杂质离子，所述栅电极中掺杂的杂质离子的类型与阱区中掺杂的杂质离子的类型相同；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成源区和漏区，所述源区和漏区中掺杂的杂质离子的类型与阱区中的杂质离子类型相反，源区和漏区的深度小于阱区的深度且大于反型掺杂区的深度。
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